用Z-扫描实验方法测量CdSe半导体纳米颗粒的三阶非线性

第一章 前言	第1-11页
·半导体纳米材料	第7-8页
·非线性光学现象	第8-11页
第二章 半导体纳米微粒的性质	第11-21页
·半导体纳米微粒电子结构理论	第11-13页
·激子概念	第11-12页
·有效质量近似	第12-13页
·半导体纳米材料的量子效应	第13-17页
·量子尺寸效应	第14页
·介电限阈效应	第14-15页
·量子隧穿效应	第15-16页
·库仑阻塞效应	第16-17页
·几种效应对半导体纳米材料禁带宽度的影响	第17页
·半导体纳米材料的非线性光学性质	第17-21页
·非共振非线性	第18-19页
·共振非线性	第19-21页
第三章 飞秒激光及非线性光学性质的测量方法	第21-34页
·飞秒激光技术	第22-28页
·激光锁模技术	第22-25页
·超短脉冲的获得	第25-27页
·飞秒啁啾放大技术(CPA)	第27-28页
·非线性光学性质的测量方法	第28-34页
·三波混频	第29页
·四波混频	第29-30页
·Z-扫描	第30-34页
第四章 CdSe 半导体纳米颗粒的 Z-扫描实验	第34-42页
·Z-扫描理论	第35-37页
·实验	第37-42页
·实验装置	第37-39页
·实验结果和分析	第39-42页
结论与展望	第42-44页
参考文献	第44-48页
致谢	第48-49页
摘要	第49-51页
Abstract	第51-53页