正电子对ZnO和GaN宽带隙半导体中缺陷的研究
| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-33页 |
| ·ZnO材料物理性质及其应用 | 第11-13页 |
| ·ZnO中缺陷对材料性能的影响 | 第13-16页 |
| ·对其晶体结构的影响 | 第13-14页 |
| ·对其电学性能的影响 | 第14-15页 |
| ·对其光学性能的影响 | 第15-16页 |
| ·ZnO中缺陷的研究进展 | 第16-21页 |
| ·ZnO中缺陷的理论结果 | 第16-18页 |
| ·ZnO中缺陷的实验结果 | 第18-19页 |
| ·正电子湮没技术对ZnO中缺陷的表征 | 第19-21页 |
| ·正电子湮没谱学概述 | 第21-26页 |
| ·固体中正电子的动力学过程 | 第22-26页 |
| ·正电子湮没技术 | 第26-32页 |
| ·论文结构 | 第32-33页 |
| 第二章 慢正电子谱仪的升级改造 | 第33-46页 |
| ·慢正电子束流概况 | 第33-34页 |
| ·新慢正电子束系统 | 第34-46页 |
| 第三章 正电子对ZnO块材中缺陷研究 | 第46-68页 |
| ·ZnO中正电子行为的理论描述 | 第46-48页 |
| ·正电子理论简介 | 第46-47页 |
| ·计算电子动量分布密度 | 第47-48页 |
| ·Doppler程序包 | 第48页 |
| ·ZnO块材中的原生缺陷 | 第48-60页 |
| ·实验 | 第49页 |
| ·正电子寿命谱结果与分析 | 第49-52页 |
| ·符合多普勒展宽谱结果与分析 | 第52-57页 |
| ·光致发光谱的结果与分析 | 第57-59页 |
| ·实验结果的综合分析 | 第59-60页 |
| ·电子辐照对ZnO中缺陷影响 | 第60-68页 |
| ·实验 | 第61页 |
| ·正电子寿命谱结果与分析 | 第61-62页 |
| ·符合多普勒展宽谱结果与分析 | 第62-64页 |
| ·光致发光谱结果与分析 | 第64页 |
| ·小结 | 第64-66页 |
| ·慢正电子对块材ZnO的研究 | 第66-68页 |
| 第四章 正电子对ZnO和GaN薄膜中缺陷研究 | 第68-91页 |
| ·氧含量对ZnO薄膜中缺陷的影响 | 第68-74页 |
| ·引言 | 第68-69页 |
| ·实验 | 第69页 |
| ·结果与讨论 | 第69-73页 |
| ·小结 | 第73-74页 |
| ·退火环境对ZnO薄膜中缺陷的影响 | 第74-79页 |
| ·引言 | 第74页 |
| ·实验 | 第74页 |
| ·结果与讨论 | 第74-79页 |
| ·小结 | 第79页 |
| ·掺杂对ZnO薄膜中缺陷影响 | 第79-83页 |
| ·引言 | 第79-80页 |
| ·实验 | 第80页 |
| ·结果与讨论 | 第80-82页 |
| ·小结 | 第82-83页 |
| ·正电子对不同极性的GaN薄膜中缺陷研究 | 第83-91页 |
| ·实验 | 第84-85页 |
| ·结果与讨论 | 第85-89页 |
| ·小结 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-96页 |
| 附录 | 第96-98页 |
| 读博士期间发表论文 | 第98页 |
