| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-20页 |
| ·GaN基材料概述 | 第9-11页 |
| ·GaN基器件的发展历史 | 第11-13页 |
| ·纤锌矿相 GaN传输特性模拟的简要回顾 | 第13-17页 |
| ·本文主要研究内容 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第二章 蒙特卡罗方法 | 第20-40页 |
| ·散射问题 | 第20-23页 |
| ·蒙特卡罗方法 | 第23-32页 |
| ·蒙特卡罗方法在半导体材料和器件模拟中的应用 | 第23-25页 |
| ·蒙特卡罗模拟过程 | 第25-32页 |
| ·对散射的近似处理 | 第32-34页 |
| ·动量弛豫率近似 | 第33页 |
| ·变型的动量弛豫率近似 | 第33-34页 |
| ·分布函数的平均量的统计 | 第34-36页 |
| ·初始条件以及模拟的收敛 | 第36页 |
| ·非抛物性能谷 | 第36-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-40页 |
| 第三章 计算模型以及优化方法 | 第40-64页 |
| ·载流子的散射 | 第40-58页 |
| ·电离杂质散射 | 第40-43页 |
| ·声学波形变势散射 | 第43-47页 |
| ·声学波压电散射 | 第47-49页 |
| ·光学波形变势散射 | 第49-50页 |
| ·谷间散射 | 第50-55页 |
| ·极性光学波散射 | 第55-58页 |
| ·模拟计算流程 | 第58-61页 |
| ·用于模拟的 GaN参数 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 第四章 模拟结果与分析 | 第64-77页 |
| ·模拟时间与收敛 | 第64页 |
| ·模拟结果与分析 | 第64-74页 |
| ·能量布居与平均能量 | 第65-68页 |
| ·电子在电场中的位移 | 第68-69页 |
| ·速度-电场关系 | 第69-72页 |
| ·载流子迁移率 | 第72-74页 |
| ·小结 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-77页 |
| 第五章 结论与展望 | 第77-79页 |
| 附录A 证明自散射的引入不改变真实散射的时间分布 | 第79-81页 |
| 附录B 基于三谷模型的模拟纤锌矿GaN输运特性的计算程序 | 第81-92页 |
| 致谢 | 第92页 |