| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| §1.1 课题研究背景 | 第8-9页 |
| §1.2 锗硅量子点物理性质的研究现状 | 第9-11页 |
| §1.3 CAFM | 第11-14页 |
| §1.3.1 扫描探针显微镜 | 第11-12页 |
| §1.3.2 CAFM | 第12-14页 |
| §1.4 论文内容简介 | 第14-15页 |
| 参考文献 | 第15-18页 |
| 第二章 实验方法和表征手段 | 第18-28页 |
| §2.1 生长设备 | 第18-19页 |
| §2.2 样品生长 | 第19页 |
| §2.2.1 GeSi量子点的生长 | 第19页 |
| §2.2.2 GeSi量子环的制备 | 第19页 |
| §2.3 电学性质研究方法 | 第19-25页 |
| §2.3.1 原子力显微镜 | 第20-23页 |
| §2.3.2 CAFM | 第23-24页 |
| §2.3.3 样品的准备及测试条件 | 第24-25页 |
| §2.4 CAFM实验中的问题 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-28页 |
| 第三章 GeSi量子点和量子环的形貌表征 | 第28-38页 |
| §3.1 GeSi量子点的AFM形貌分析 | 第28页 |
| §3.2 AFM观察量子点到量子环的形貌转变 | 第28-29页 |
| §3.3 GeSi量子环的AFM形貌研究 | 第29-32页 |
| §3.4 AFM表征中针尖效应的修正 | 第32-36页 |
| §3.4.1 模型一 | 第32-34页 |
| §3.4.2 模型二 | 第34-35页 |
| §3.4.3 模型三 | 第35页 |
| §3.4.4 AFM修正数据的比较 | 第35-36页 |
| §3.5 小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第四章 CAFM研究GeSi量子点的基本原理 | 第38-50页 |
| §4.1 实验 | 第38页 |
| §4.2.基本理论 | 第38-40页 |
| §4.2.1 热电子发射 | 第38-39页 |
| §4.2.2 F-N隧穿 | 第39-40页 |
| §4.3 Ⅰ-Ⅴ特性曲线分析 | 第40-44页 |
| §4.3.1 正压力对Ⅰ-Ⅴ特性曲线的影响 | 第42-43页 |
| §4.3.2 腐蚀后空气中暴露时间对Ⅰ-Ⅴ特性曲线的影响 | 第43-44页 |
| §4.4 电流分布图像分析 | 第44-48页 |
| §4.4.1 氧化物的厚度对电流分布的影响 | 第45-46页 |
| §4.4.2 正压力的作用对电流分布的影响 | 第46-48页 |
| §4.5 小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第五章 正压力和偏压对GeSi量子点电流分布图像的影响 | 第50-61页 |
| §5.1 实验 | 第50-51页 |
| §5.2 结果和分析 | 第51-58页 |
| §5.2.1 正压力对电流分布的影响 | 第51-53页 |
| §5.2.2 偏压对电流分布的影响 | 第53-58页 |
| §5.3 小结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第六章 锗硅量子点的瞬态荷电行为的研究 | 第61-80页 |
| §6.1 GeSi量子点的库仑荷电效应和能级结构 | 第61-63页 |
| §6.1.1 量子点库仑荷电效应 | 第61-62页 |
| §6.1.2 量子点的能级结构 | 第62页 |
| §6.1.3 Si_(1-x)Ge_x/Si异质结构的能带排列 | 第62-63页 |
| §6.2 实验 | 第63-64页 |
| §6.3 Ⅰ-Ⅴ特性曲线的分析 | 第64-70页 |
| §6.3.1 扫描方向 | 第66页 |
| §6.3.2 扫描速度 | 第66-68页 |
| §6.3.3 扫描范围 | 第68-69页 |
| §6.3.4 表面氧化层的作用 | 第69-70页 |
| §6.4 结果与讨论 | 第70-77页 |
| §6.4.1 荷电现象的产生的物理过程 | 第70-73页 |
| §6.4.2 荷电现象的重演 | 第73-74页 |
| §6.4.3 电流峰出现的位置 | 第74-76页 |
| §6.4.4 正负偏压扫描对电流峰的影响 | 第76-77页 |
| §6.5 小结 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 第七章 GeSi量子环的CAFM电学性质研究 | 第80-90页 |
| §7.1 GeSi量子环的制备 | 第80-81页 |
| §7.2 GeSi量子环的表征 | 第81页 |
| §7.3 CAFM观察量子环结构电流分布的转变 | 第81-86页 |
| §7.3.1 GeSi量子点向GeSi量子环的的转变 | 第81-83页 |
| §7.3.2 单个GeSi量子环的电学特征 | 第83-84页 |
| §7.3.3 GeSi量子环电流分布和偏压的关系 | 第84-86页 |
| §7.4 GeSi量子环的负微分电阻特性 | 第86-88页 |
| §7.5 小结 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-90页 |
| 工作总结与展望 | 第90-91页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第91-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
