纳米线光学微腔与正方形光学微腔模式特性研究
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-12页 |
第一章 绪论 | 第12-24页 |
·光学微腔对自发辐射的作用 | 第12-13页 |
·光学微腔的分类 | 第13-14页 |
·光学微腔的研究现状 | 第14-22页 |
·微盘类微腔激光器 | 第14-19页 |
·光子晶体微腔类激光器 | 第19-20页 |
·正多边形微腔激光器 | 第20-21页 |
·纳米线微腔激光器 | 第21-22页 |
·本论文的主要内容 | 第22-24页 |
第二章 时域有限差分方法 | 第24-42页 |
·时域有限差分方法的基本原理 | 第24-30页 |
·麦克斯维方程 | 第24-26页 |
·Yee 氏有限差分网格及方案 | 第26-28页 |
·数值稳定性条件分析 | 第28-29页 |
·激发源设置 | 第29-30页 |
·FDTD 吸收边界条件分析 | 第30-38页 |
·Mur 吸收边界条件作用机理 | 第30-32页 |
·PML 吸收边界条件作用机理 | 第32-38页 |
·基于Baker 算法的Padé近似方法 | 第38-40页 |
·本章小结 | 第40-42页 |
第三章 纳米线光学微腔的模式特性研究 | 第42-56页 |
·引言 | 第42页 |
·三维柱坐标下的时域有限差分 | 第42-47页 |
·三维柱坐标下时域有限差分介绍 | 第42-45页 |
·吸收边界条件 | 第45-47页 |
·半导体纳米线光学微腔模式特性的理论研究 | 第47-55页 |
·纳米线光学微腔的计算模型 | 第47-48页 |
·纳米线光学微腔的数值结果 | 第48-55页 |
·本章小结 | 第55-56页 |
第四章 正方形光学微腔模式特性的研究 | 第56-73页 |
·正方形光学微腔模式特性理论分析 | 第56-61页 |
·半导体正方形微腔的实验制作 | 第61-66页 |
·刻蚀简要介绍 | 第62页 |
·正方形微腔制作的材料结构 | 第62-63页 |
·正方形微腔器件制备工艺流程 | 第63-66页 |
·正方形微腔的光荧光测量以及分析结果 | 第66-71页 |
·测试系统介绍 | 第66-67页 |
·测量结果 | 第67-71页 |
·分析和讨论 | 第71-72页 |
·本章小结 | 第72-73页 |
第五章 总结 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-82页 |
攻读硕士期间所发表的论文 | 第82-83页 |
致谢 | 第83页 |