当前位置:
首页
--
数理科学和化学
--
物理学
--
半导体物理学
量子点中自旋抽运电流的研究
压力下屏蔽及极化子效应对有限深量子阱中施主结合能的影响
量子点—量子阱结构中的振动本征模和电子—声子相互作用
量子点量子阱结构中的束缚极化子
有限深量子阱中电子迁移率的压力效应
外电场下半导体量子阱中的激子和杂质态
外场作用下量子阱中的束缚极化子
球型量子点中共振隧穿及共振态寿命的研究
抛物量子点中弱耦合极化子的基态能量
脉冲激光沉积(PLD)半导体材料结构特性的研究
电—声子相互作用在外场下对量子点输运性质的影响
激光作用下半导体电子的缀饰带
几个介观量子点模型的输运性质
量子点模型中的自旋极化输运研究
稀磁半导体氧化物的结构和磁性能研究
氧化物半导体纳米结构制备及其电子场发射特性研究
ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃的光谱特性研究
一维半导体纳米线体系的光谱和光学性质研究
硫化砷非晶态半导体薄膜的光致效应技术研究
有机包裹CdS和核壳结构CdS/ZnS纳米量子点的制备和性能分析
SiC MESFET非线性等效电路模型研究
β相氮化硅材料的第一性原理研究
磷离子注入诱导InGaAsP/InP量子阱结构混合的研究
稀磁半导体材料的第一性原理研究
信息技术应用于中专“半导体物理”课堂教学的研究
超晶格中一些动力学及输运问题的理论研究
CdSe和HgTe团簇结构与电子性质的理论研究
InAs自组织量子点的光学性质研究
无限深GaAs量子阱线中双激子的性质
电场下方形量子线中的激子态
GaAs(114)表面电子结构和面心立方金属表面扩散的计算和理论研究
一维氧化锌纳米线的研制、光致发光与场发射特性研究
InGaN/GaN量子点中三阶非线性光学极化率的研究
InGaN/GaN量子阱中的非线性光学性质研究
氧吸附和拓扑缺陷对碳纳米管电子输运性能的影响
锑化铟纳米晶体的制备表征和光学性质的研究
ZnO量子点中激子的基态特性及表面修饰对光学性质的影响
ZnTe基和ZnSe基复合结构的光学性质
HFCVD方法制备纳米SiC及其性质的研究
PECVD法制备包埋硅量子点的氮化硅薄膜及其发光特性研究
抛物量子阱中的类氢杂质态和激子
双势垒抛物量子阱结构中的电子隧穿
压力对极化子自陷能的影响
半导体异质结中极化子回旋共振及其压力效应
三角形量子阱中的杂质态和极化子
半导体量子点少体系统低激发态能谱研究
含时谐振缺陷势对半导体超晶格输运特性的影响
半导体薄膜特性实时检测技术的研究
NbSi_n(n=1~12)、LaSi_n(n=1~6)团簇稳定性和电子结构特性的研究
铑硅混合团簇几何构型及电子结构性质的理论研究
上一页
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]
下一页