| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·对半导体中载流子迁移的研究现状及进展 | 第11-13页 |
| ·计算机模拟在半导体中载流子迁移问题上的运用 | 第13-14页 |
| ·本论文的研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 Monte carlo方法和散射理论 | 第16-26页 |
| 第一部分 Monte Carlo方法 | 第16-21页 |
| ·Monte Carlo方法概述 | 第16-17页 |
| ·半导体输运过程中Monte Carolo模拟的一般方法 | 第17-21页 |
| 第二部分 散射理论和散射机制 | 第21-26页 |
| ·散射的一般理论和种类 | 第21-26页 |
| ·声学声子散射 | 第22-23页 |
| ·极性光学声子散射 | 第23-24页 |
| ·谷间散射 | 第24页 |
| ·带间散射 | 第24-25页 |
| ·杂质散射 | 第25-26页 |
| 第三章 半导体中载流子迁移的 Monte Carlo模拟基础 | 第26-36页 |
| ·半导体中载流子迁移的 Monte Carlo模拟 | 第26-30页 |
| ·Monte Carlo模拟基础 | 第26-29页 |
| ·Monte Carlo模拟的程序结构 | 第29-30页 |
| ·金刚石薄膜的 Monte Carlo模拟研究 | 第30-36页 |
| ·金刚石材料简介 | 第30-31页 |
| ·对金刚石中载流子迁移问题的研究现状 | 第31-32页 |
| ·模拟结果及与实验结果的比较分析 | 第32-36页 |
| ·模拟结果与文献8的比较 | 第32-33页 |
| ·模拟结果与文献9的比较 | 第33-34页 |
| ·模拟结果与文献10的比较 | 第34-36页 |
| 第四章 半导体中载流子的加速和匀速输运过程 | 第36-43页 |
| ·Monte Carlo模拟中载流子数目的选择 | 第36-38页 |
| ·载流子的加速输运过程 | 第38-40页 |
| ·载流子的能量分布函数 | 第39-40页 |
| ·载流子能量的变化过程 | 第40页 |
| ·载流子的匀速输运过程 | 第40-43页 |
| ·载流子的能量分布函数 | 第41-42页 |
| ·平均能量的变化过程 | 第42-43页 |
| 第五章 厚度、电场强度以及温度对半导体中载流子迁移的影响 | 第43-55页 |
| ·载流子在输运过程中运动的历史 | 第43-44页 |
| ·厚度对载流子输运过程的影响 | 第44-49页 |
| ·厚度对载流子平均能量的影响 | 第44-45页 |
| ·厚度对载流子平均飞行时间的影响 | 第45-46页 |
| ·厚度对载流子飞行时间分布函数的影响 | 第46-49页 |
| ·外加电场对载流子输运过程的影响 | 第49-51页 |
| ·外加电场对载流子平均能量的影响 | 第49-50页 |
| ·外加电场对载流子平均飞行时间的影响 | 第50-51页 |
| ·温度对载流子输运过程的影响 | 第51-55页 |
| ·温度对载流子能量分布函数的影响 | 第52-53页 |
| ·温度对载流子平均能量的影响 | 第53-54页 |
| ·温度对载流子平均飞行时间的影响 | 第54-55页 |
| 第六章 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 在校期间发表的学术论文、论著及获奖情况 | 第59页 |
