Ge/Si半导体量子点应力应变分布研究

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-8页
第一章 绪论	第8-19页
·半导体量子点材料概述	第9-11页
·半导体量子点材料概念	第9-10页
·半导体量子点材料的特殊效应	第10-11页
·自组织生长量子点研究的必要性	第11-12页
·量子点基本制备方法	第12-15页
·自上而下生长方式	第12-13页
·自下而上生长方式	第13-15页
·量子点内应变分布研究现状	第15-17页
·实验研究	第16页
·理论研究	第16-17页
·论文研究内容	第17-19页
第二章 弹性理论及有限单元法	第19-27页
·弹性理论	第19-22页
·有限单元法简介	第22-27页
·有限单元法的基本思想	第22页
·有限单元法的优点	第22-23页
·有限单元法的原理	第23-27页
第三章 非埋置量子点有限元分析	第27-34页
·有限元几何模型	第27页
·本构方程的建立和边界条件的推导	第27-29页
·量子点应力应变分布的有限元分析	第29-33页
·本章小结	第33-34页
第四章 埋置量子点有限元分析	第34-42页
·几何模型和本构方程	第34-36页
·量子点应力应变分布的有限元分析	第36-41页
·本章小结	第41-42页
第五章 量子点的相关能量和平衡形态	第42-53页
·异质外延薄膜中的应变能	第42-43页
·岛状薄膜中的应变能	第43-44页
·非埋置量子点的相关能量与平衡形态	第44-48页
·埋置量子点的相关能量	第48页
·平衡态高宽比随量子点体积变化的规律	第48-51页
·本章小结	第51-53页
第六章 总结与展望	第53-55页
·总结	第53-54页
·展望	第54-55页
参考文献	第55-59页
攻读硕士学位期间发表的论文	第59-60页
致谢	第60页