| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 第1章 引言 | 第8-34页 |
| ·硅基发光材料的研究进展 | 第8-15页 |
| ·Si的本征发光 | 第9页 |
| ·多孔硅发光 | 第9-11页 |
| ·SiO_x和Si_xN_y发光 | 第11-13页 |
| ·杂质掺杂Si发光 | 第13-15页 |
| ·硅基发光器件的研究进展 | 第15-24页 |
| ·Si基量子结构发光 | 第16-19页 |
| ·Si基材料p-n结(或p-i-n结)结构发光 | 第19-21页 |
| ·基于硅材料纳米结构的垂直腔面光发射结构(VCSEL) | 第21-24页 |
| ·研究基于a-SiC_x的发光器件的意义 | 第24-26页 |
| ·III-V族化合物发光器件和有机化合物电致发光器件 | 第26-32页 |
| ·III-V族化合物发光器件 | 第26-30页 |
| ·有机化合物发光器件 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第2章 PECVD非晶态材料制备与特性 | 第34-60页 |
| ·PECVD设备及其工作原理 | 第34-36页 |
| ·等离子体化学气相淀积(PECVD)基本原理 | 第34-35页 |
| ·PECVD淀积动力学过程 | 第35-36页 |
| ·影响PECVD淀积的因素 | 第36-39页 |
| ·反应室的几何形状和反应气的通入方式 | 第36-37页 |
| ·激发等离子体的RF功率密度和频率 | 第37-38页 |
| ·气流的速率和反应室内总气压 | 第38页 |
| ·电极温度 | 第38页 |
| ·反应剂和携带气体 | 第38-39页 |
| ·PECVD制备a-Si:H及材料特性 | 第39-43页 |
| ·a-Si:H的生长速率 | 第39-41页 |
| ·a-Si:H的折射率和光吸收 | 第41-43页 |
| ·PECVD制备a-SiO_x及材料特性 | 第43-46页 |
| ·a-SiO_x:H的生长速率 | 第43-44页 |
| ·a-SiO_x:H的折射率 | 第44-46页 |
| ·PECVD制备a-Si_xN_y及材料特性 | 第46-48页 |
| ·a-Si_xN_y的生长速率 | 第46-47页 |
| ·a-Si_xN_y的折射率 | 第47-48页 |
| ·PECVD制备a-SiC_x及材料特性 | 第48-58页 |
| ·a-SiC_x:H的生长速率 | 第49-52页 |
| ·a-SiC_x:H的折射率 | 第52-55页 |
| ·a-SiC_x:H的电导率 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第3章 a-SiC_x:H材料和微腔器件的光致发光 | 第60-82页 |
| ·a-SiC_x:H材料光致发光 | 第60-65页 |
| ·a-SiC_x:H结构模型 | 第60-62页 |
| ·a-SiC_x:H薄膜光致发光 | 第62-65页 |
| ·a-SiC_x:H微腔结构的设计和模拟 | 第65-73页 |
| ·传输矩阵法 | 第66-68页 |
| ·a-Si:H/a-SiO_x多层膜层数和生长顺序对DBR反射率的影响 | 第68-70页 |
| ·微腔器件反射谱的模拟 | 第70-73页 |
| ·a-SiC_x:H微腔器件的制备和光致发光 | 第73-80页 |
| ·DBR的制备 | 第74-76页 |
| ·微腔器件的制备 | 第76-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 第4章 a-SiC_x:H p-i结和微腔器件的电致发光 | 第82-94页 |
| ·a-SiC_x:H p-i结的电致发光 | 第82-88页 |
| ·a-SiC_x:H p-i结结构 | 第82-83页 |
| ·a-SiC_x:H p-i结制备工艺 | 第83-84页 |
| ·a-SiC_x:H p-i结I-V特性 | 第84-87页 |
| ·a-SiC_x:H p-i结电致发光 | 第87-88页 |
| ·a-SiC_x:H微腔器件的制备和电致发光 | 第88-93页 |
| ·a-SiC_x:H微腔器件结构 | 第88-89页 |
| ·a-SiC_x:H微腔器件制备 | 第89-90页 |
| ·a-SiC_x:H微腔器件电致发光 | 第90-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 第5章 结论 | 第94-98页 |
| ·论文主要内容 | 第94-96页 |
| ·论文的创新点和主要成果 | 第96-97页 |
| ·研究工作改进与展望 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-103页 |
| 致 谢 | 第103页 |
| 声 明 | 第103-104页 |
| 附录 PECVD温度仪参数设定 | 第104-106页 |
| 本人简历 | 第106页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第106页 |
