| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-23页 |
| 1．1 课题研究的背景 | 第10-14页 |
| 1．1．1 IC的低功耗设计技术 | 第11-12页 |
| 1．1．2 超深亚微米MOS器件面临的挑战 | 第12-14页 |
| 1．2 Halo LDD MOSFET的介绍 | 第14-21页 |
| 1．2．1 器件的结构特点 | 第15-19页 |
| 1．2．2 器件的工艺流程简介 | 第19-21页 |
| 1．3 本论文研究的意义和主要内容 | 第21-23页 |
| 第二章 Halo MOSFET的阈值电压解析模型 | 第23-41页 |
| 2．1 常规短沟道MOSFET的表面势模型 | 第23-28页 |
| 2．1．1 短沟道效应的分析 | 第23-25页 |
| 2．1．2 表面势表达式的推导 | 第25-27页 |
| 2．1．3 模型的验证 | 第27-28页 |
| 2．2 Halo MOSFET 的阈值电压解析模型 | 第28-37页 |
| 2．2．1 Halo结构的沟道浓度与表面势的分析 | 第29-33页 |
| 2．2．2 器件阈值电压模型的建立 | 第33-34页 |
| 2．2．3 模型结果与二维数值模拟比较 | 第34-37页 |
| 2．3 LDD结构对阈值电压影响的分析 | 第37-39页 |
| 2．4 小结 | 第39-41页 |
| 第三章 Halo MOSFET的漏电流模型 | 第41-57页 |
| 3．1 强反型条件下的漏电流模型 | 第41-50页 |
| 3．1．1 迁移率模型 | 第41-43页 |
| 3．1．2 反型层电荷密度 | 第43-45页 |
| 3．1．3 漏电流的二维分布建模 | 第45-48页 |
| 3．1．4 饱和区特性 | 第48-50页 |
| 3．2 亚阈值漏电流模型 | 第50-52页 |
| 3．3 漏电流模型的验证与分析 | 第52-56页 |
| 3．3．1 强反型区漏电流模型的验证 | 第52-54页 |
| 3．3．2 亚阈值电流模型的验证 | 第54-56页 |
| 3．4 小结 | 第56-57页 |
| 第四章 Halo LDD MOSFET击穿特性分析 | 第57-77页 |
| 4．1 漏源击穿的理论分析 | 第57-71页 |
| 4．1．1 漏源p-n结击穿机理 | 第57-59页 |
| 4．1．2 Medici模型的选择 | 第59-60页 |
| 4．1．3 不同器件结构的击穿特性仿真与对比 | 第60-65页 |
| 4．1．4 Halo LDD MOSFET击穿电压模型 | 第65-69页 |
| 4．1．5 结构参数对击穿特性的影响 | 第69-71页 |
| 4．2 栅氧化层的击穿 | 第71-76页 |
| 4．2．1 栅氧化层击穿机理 | 第71-73页 |
| 4．2．2 栅氧化层击穿特性的数值模拟 | 第73-76页 |
| 4．3 小结 | 第76-77页 |
| 第五章 总结 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第84页 |
