| 摘要 | 第1-11页 |
| Abstract | 第11-14页 |
| 插图索引 | 第14-17页 |
| 附表索引 | 第17-18页 |
| 第1章 绪论 | 第18-46页 |
| ·有机薄膜电致发光的研究进展及其技术特点 | 第18-20页 |
| ·有机电致发光材料与器件结构 | 第20-24页 |
| ·有机发光材料 | 第20-22页 |
| ·有机电致发光的器件结构 | 第22-24页 |
| ·有机电致发光的基本原理 | 第24-30页 |
| ·载流子注入 | 第25-27页 |
| ·有机半导体能带模型 | 第25-26页 |
| ·载流子注入机理 | 第26-27页 |
| ·载流子传输 | 第27-28页 |
| ·双分子复合 | 第28-29页 |
| ·激子的形成及辐射衰减 | 第29-30页 |
| ·有机电致发光器件的制备 | 第30-31页 |
| ·小分子材料器件的制备 | 第31页 |
| ·聚合物器件的制备 | 第31页 |
| ·评价有机电致发光器件性能的主要参数 | 第31-35页 |
| ·发射光谱 | 第31-32页 |
| ·发光亮度 | 第32页 |
| ·发光效率 | 第32-33页 |
| ·发光颜色和亮度 | 第33-34页 |
| ·工作寿命 | 第34-35页 |
| ·提高有机EL器件发光效率的几个有效途径 | 第35-37页 |
| ·单色光与白光OLEDs的获得及全色显示 | 第37-41页 |
| ·实现各种单色光所用的有机发光材料 | 第37-40页 |
| ·白光的获得 | 第40页 |
| ·全色显示 | 第40-41页 |
| ·本论文的主要工作和意义 | 第41-46页 |
| ·本论文研究背景和意义 | 第41-44页 |
| ·本论文的主要工作 | 第44-45页 |
| ·本论文的章节安排 | 第45-46页 |
| 第2章 金属/有机层界面的性能研究 | 第46-87页 |
| ·金属与有机层界面(以下简称MOI)能级和内秉势 | 第46-53页 |
| ·“洁净”界面上的能级 | 第47-49页 |
| ·金属/有机界面内秉势的计算 | 第49-53页 |
| ·理论模型 | 第50-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-53页 |
| ·结论 | 第53页 |
| ·MOI偶极层的形成与吸附作用 | 第53-63页 |
| ·金属/有机小分子材料界面上偶极层的形成对能级的影响 | 第53-55页 |
| ·Alq3/Al与Alq3/Mg界面电子结构的变化和能级分布 | 第55-58页 |
| ·金属与有机材料界面的吸附作用 | 第58-63页 |
| ·金属与有机分子界面相互吸附的理论处理方法 | 第58-60页 |
| ·Alq3与Al的相互吸附作用理论计算结果 | 第60-61页 |
| ·基于化学吸附的电荷转移 | 第61-62页 |
| ·吸附引起的功函数的改变 | 第62-63页 |
| ·LiF的引入对金属/有机层界面特性的影响 | 第63-68页 |
| ·实验 | 第64页 |
| ·LiF的引入对靠近阴极界面附近Alq3形貌的影响 | 第64-65页 |
| ·LiF的引入对靠近阴极界面附近能级的影响 | 第65-66页 |
| ·LiF的引入对器件发光亮度的影响 | 第66页 |
| ·LiF的厚度对器件发光亮度的影响 | 第66-68页 |
| ·结论 | 第68页 |
| ·决定MOI中引入恰当缓冲层的关键参数 | 第68-72页 |
| ·MOI中引入缓冲层后的理论模型 | 第68-70页 |
| ·影响MOI中引入恰当缓冲层的关键参数 | 第70-72页 |
| ·结论 | 第72页 |
| ·金属/聚合物混合界面(MPI)的注入电流 | 第72-78页 |
| ·空间电荷限制电流模型、隧道贯穿模型和热电子发射模型 | 第72-73页 |
| ·Monte-Carlo随机跳跃理论模型 | 第73-78页 |
| ·在无序跳跃体系中载流子能量弛豫和传输的理论分析 | 第75-77页 |
| ·载流子在金属/聚合物界面的注入 | 第77-78页 |
| ·双层OLEDs阳极注入层/聚合物界面性能研究 | 第78-84页 |
| ·实验 | 第80页 |
| ·结果及讨论 | 第80-82页 |
| ·理论模型及分析 | 第82-84页 |
| ·注入有机层中的电流密度 | 第82-83页 |
| ·复合电流 | 第83-84页 |
| ·复合效率 | 第84页 |
| ·结论 | 第84页 |
| ·本章小结 | 第84-87页 |
| 第3章 有机/有机层界面(以下简称OOI)性能的研究 | 第87-95页 |
| ·跳跃模型 | 第87-90页 |
| ·电场强度分布和有机层中的能级漂移 | 第90-91页 |
| ·界面特征参数改变对OLEDs复合效率的影响 | 第91-93页 |
| ·OOI处电场强度突变对OLEDs复合效率的影响 | 第91页 |
| ·界面的有效势垒高度对复合效率的影响 | 第91-92页 |
| ·有效跳跃距离对复合效率的影响 | 第92-93页 |
| ·结论 | 第93页 |
| ·本章小结 | 第93-95页 |
| 第4章 有机薄膜电致发光器件的激子复合效率 | 第95-109页 |
| ·载流子迁移率对单层OLEDs激子复合效率的影响 | 第95-103页 |
| ·理论模型 | 第95-99页 |
| ·器件内电场强度的分布 | 第97页 |
| ·J-V关系 | 第97-98页 |
| ·激子复合效率 | 第98-99页 |
| ·结果与讨论 | 第99-103页 |
| ·结论 | 第103页 |
| ·温度和电压对双层有机发光二极管激子复合效率的影响 | 第103-107页 |
| ·理论模型 | 第103-105页 |
| ·分析与讨论 | 第105-107页 |
| ·结论 | 第107页 |
| ·本章小结 | 第107-109页 |
| 第5章 有机薄膜电致发光器件激子复合区域的初步探讨 | 第109-135页 |
| ·引言 | 第109-110页 |
| ·单层有机发光器件的激子复合区域和外量子效率 | 第110-117页 |
| ·单层OLEDs的激子复合区域 | 第110-113页 |
| ·单层器件在双注入情况下激子复合发光区的理论模型 | 第110-111页 |
| ·单层器件激子复合发光区的估算 | 第111-113页 |
| ·单层OLEDs激子复合区域的宽度和外量子效率 | 第113-116页 |
| ·外加电压和器件厚度对激子复合区域宽度的影响 | 第114-115页 |
| ·外加电压和器件厚度对外量子效率的影响 | 第115-116页 |
| ·环境温度对器件外量子效率的影响 | 第116页 |
| ·结论 | 第116-117页 |
| ·双层有机发光器件的激子复合区域研究 | 第117-125页 |
| ·双层器件激子复合发光区模型 | 第117-120页 |
| ·结果与讨论 | 第120-124页 |
| ·双层OLEDs的激子复合效率 | 第120-123页 |
| ·双层OLEDs的激子复合区域宽度 | 第123-124页 |
| ·结论 | 第124-125页 |
| ·掺杂情况下多层器件激子复合区域研究 | 第125-133页 |
| ·掺杂情况下多层器件激子复合发光区理论模型建立 | 第125-130页 |
| ·掺杂情况下的有机分子发光强度的粗略估算 | 第126-129页 |
| ·掺杂情况下，激子复合区域宽度的理论模型 | 第129-130页 |
| ·不同掺杂浓度的多层器件激子复合发光区 | 第130-131页 |
| ·电场强度调制对激子复合区宽度的影响 | 第131-132页 |
| ·温度变化对激子复合区宽度的影响 | 第132-133页 |
| ·本章小结 | 第133-135页 |
| 总结和展望 | 第135-138页 |
| 参考文献 | 第138-153页 |
| 致谢 | 第153-154页 |
| 附录A (攻读博士学位期间所发表的学术论文目录) | 第154-156页 |
| 附录B (攻读博士学位期间所承担的科研课题) | 第156页 |
