| 第一章 绪论 | 第1-17页 |
| ·SOI材料的基本特性及研究意义 | 第8-11页 |
| ·SOI材料和器件的研究进展 | 第11-15页 |
| ·本文的主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 SOI MOSFET器件特性模拟研究的物理学基础 | 第17-26页 |
| ·器件的模型化 | 第17-21页 |
| ·器件模型化的定义 | 第17-18页 |
| ·器件模型化的历史 | 第18-19页 |
| ·当代器件模型化的发展和现状分析 | 第19-20页 |
| ·器件模拟的分类 | 第20-21页 |
| ·器件模型化的物理基础 | 第21-25页 |
| ·SOI MOSFET器件模拟的基本方程和边界条件 | 第21-24页 |
| ·SOI MOSFET器件的类型区分 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 SOI MOSFET的静态电流特性与阈值电压特性研究 | 第26-46页 |
| ·SOI MOSFET的电流模型 | 第26-38页 |
| ·SOI MOSFET的静态电流特性的定性分析 | 第26-28页 |
| ·SOI MOSFET的静态电流特性的定量分析 | 第28-38页 |
| ·SOI MOSFET的阈值电压模型 | 第38-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 SOI MOSFET的击穿特性研究 | 第46-57页 |
| ·漏衬pn结雪崩击穿 | 第47-48页 |
| ·沟道雪崩击穿 | 第48-50页 |
| ·漏源势垒穿通 | 第50-53页 |
| ·寄生双极晶体管击穿(负阻击穿) | 第53-55页 |
| ·栅击穿 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第63页 |
