| 第一章 绪论 | 第1-17页 |
| §1.1 体硅LDMOS器件的介绍 | 第10-11页 |
| §1.2 SOI MOSFETs器件的介绍 | 第11-17页 |
| §1.2.1 SOI器件的特性 | 第11-13页 |
| §1.2.2 SOI技术的发展 | 第13-15页 |
| §1.2.3 SOI材料的发展 | 第15-16页 |
| §1.2.4 SOI LDMOS器件 | 第16-17页 |
| 第二章 体硅LDMOS特性的分析 | 第17-43页 |
| §2.1 PDP驱动芯片中LDMOS的概述 | 第17-21页 |
| §2.2 LDMOS电路宏模型的建立 | 第21-33页 |
| §2.2.1 LDMOS的数值模拟 | 第22-28页 |
| §2.2.2 数值模拟结果与讨论 | 第28-29页 |
| §2.2.3 建立LDMOS电路的宏模型 | 第29-31页 |
| §2.2.4 模型的应用 | 第31-33页 |
| §2.3 LDMOS功耗和功率增益的计算 | 第33-38页 |
| §2.3.1 LDMOS的本征功耗 | 第33-36页 |
| §2.3.2 CMOS反相器的本征功耗 | 第36页 |
| §2.3.3 计算结果与讨论 | 第36-38页 |
| §2.4 LDMOS击穿电压的计算 | 第38-43页 |
| §2.4.1 耐压情况的分析 | 第38-39页 |
| §2.4.2 场极板为无穷大的情况 | 第39-41页 |
| §2.4.3 有限场极板的情况 | 第41-42页 |
| §2.4.4 计算结果与比较 | 第42-43页 |
| 第三章 SOI LDMOS特性的分析 | 第43-60页 |
| §3.1 SOI LDMOS耐压结构的研究 | 第43-50页 |
| §3.1.1 RESURF原理的应用 | 第43-46页 |
| §3.1.2 电阻场板的应用 | 第46-47页 |
| §3.1.3 n~+薄层的使用 | 第47页 |
| §3.1.4 埋氧化层下加n~+块的结构 | 第47-48页 |
| §3.1.5 台阶状埋氧化层 | 第48页 |
| §3.1.6 各种耐压结构的比较 | 第48-50页 |
| §3.2 全耗尽SOI LDMOS阈值电压的计算 | 第50-56页 |
| §3.2.1 前栅表面势的求解 | 第50-53页 |
| §3.2.2 漏源电压V_(ds)较小的情况 | 第53页 |
| §3.2.3 漏源电压V_(ds)较大的情况 | 第53-54页 |
| §3.2.4 计算结果与比较 | 第54-56页 |
| §3.3 全耗尽SOI LDMOS击穿电压的计算 | 第56-60页 |
| §3.3.1 漂移区临界掺杂浓度N_c | 第56-57页 |
| §3.3.2 漂移区临界掺杂浓度高于N_c时的击穿电压 | 第57-58页 |
| §3.3.3 漂移区临界掺杂浓度低于N_c时的击穿电压 | 第58页 |
| §3.3.4 外加场极板为有限时的击穿电压 | 第58-59页 |
| §3.3.5 计算结果与比较 | 第59-60页 |
| 第四章 结束语 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第67页 |