| 第一章 绪论 | 第1-13页 |
| ·SOI概述 | 第7-10页 |
| ·国内外研究状况 | 第10-11页 |
| ·拟选本题目的意义 | 第11-13页 |
| 第二章 静态模型的建立 | 第13-22页 |
| ·电荷模型 | 第13-15页 |
| ·漏电流模型 | 第15-20页 |
| ·背表面积累 | 第16-18页 |
| ·背表面耗尽 | 第18-19页 |
| ·背表面源端积累而漏端耗尽 | 第19-20页 |
| ·直流静态模型的检验 | 第20-22页 |
| 第三章 高频小信号模型 | 第22-39页 |
| ·小信号电流的一般表达式 | 第22-30页 |
| ·全耗尽SOI MOSFET高频小信号模型 | 第30-34页 |
| ·高频模型的检验 | 第34-39页 |
| 第四章 影响高频特性的因素分析 | 第39-62页 |
| ·栅长变化对频率特性的影响 | 第39-43页 |
| ·栅长对SOI MOSFET本征y参数的影响 | 第39-42页 |
| ·栅长对本征电流增益的影响 | 第42页 |
| ·栅长对本征单向功率增益的影响 | 第42-43页 |
| ·栅宽对频率特性的影响 | 第43-47页 |
| ·栅宽对SOI MOSFET本征y参数的影响 | 第43-46页 |
| ·栅宽对本征电流增益的影响 | 第46页 |
| ·栅宽对本征单向功率增益的影响 | 第46-47页 |
| ·掺杂受主浓度对频率特性的影响 | 第47-51页 |
| ·掺杂受主浓度对SOI MOSFET本征y参数的影响 | 第47-49页 |
| ·掺杂受主浓度对本征电流增益的影响 | 第49-50页 |
| ·掺杂受主浓度对本征单向功率增益的影响 | 第50-51页 |
| ·漏电压对频率特性的影响 | 第51-54页 |
| ·漏电压对SOI MOSFET本征y参数的影响 | 第51-53页 |
| ·漏电压对本征电流增益的影响 | 第53页 |
| ·漏电压对本征单向功率增益的影响 | 第53-54页 |
| ·前栅电压对频率特性的影响 | 第54-58页 |
| ·前栅电压对SOI MOSFET本征y参数的影响 | 第54-56页 |
| ·前栅电压对本征电流增益的影响 | 第56-57页 |
| ·前栅电压对本征单向功率增益的影响 | 第57-58页 |
| ·提高SOI MOSFET的高频性能和开关速度的途径 | 第58-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第66页 |