| 摘 要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪 言 | 第9-17页 |
| ·课题的意义及目标 | 第9-10页 |
| ·VLSI 器件结构及建模的发展 | 第10-14页 |
| ·计算微电子学的研究方法 | 第14-15页 |
| ·本文结构 | 第15-17页 |
| 2 MOSFET 的等比例缩小与结构特性 | 第17-70页 |
| ·引言 | 第17-18页 |
| ·MOSFET 等比例缩小理论及物理限制 | 第18-31页 |
| ·MOSFET 结构的建模及模拟 | 第31-44页 |
| ·MOSFET 结构参数与性能影响 | 第44-67页 |
| ·VLSI 三维结构技术与 V-SOI 结构的提出 | 第67-69页 |
| ·小结 | 第69-70页 |
| 3 VLSI 三维器件结构:V-SOI MOSFET | 第70-81页 |
| ·引言 | 第70页 |
| ·V-SOI MOSFET 结构模型 | 第70-74页 |
| ·V-SOI MOSFET 典型特性 | 第74-80页 |
| ·结论 | 第80-81页 |
| 4 半经典输运模型--玻耳兹曼输运的建模与模拟 | 第81-123页 |
| ·引言 | 第81页 |
| ·深亚微米/纳米级器件的玻耳兹曼输运 | 第81-85页 |
| ·玻耳兹曼输运方程的物理解析解－速度过冲模型 | 第85-90页 |
| ·基于 BSIM3 的模拟及结果 | 第90-95页 |
| ·玻耳兹曼输运方程的直接数值解 | 第95-104页 |
| ·基于有限元方法的模拟及结果 | 第104-121页 |
| ·小结 | 第121-123页 |
| 5 量子输运模型的建模与模拟 | 第123-164页 |
| ·引言 | 第123-124页 |
| ·深亚微米/纳米级器件中的量子输运 | 第124-132页 |
| ·量子模拟的非平衡格林函数方法(NEGF) | 第132-136页 |
| ·基于 NANOMOS 的量子输运模拟及结果 | 第136-145页 |
| ·纳米级器件的量子输运特性及设计优化 | 第145-157页 |
| ·半导体微结构非平衡电子输运现象 | 第157-162页 |
| ·小结 | 第162-164页 |
| 6 总结与展望 | 第164-167页 |
| ·全文总结 | 第164-165页 |
| ·创新性工作 | 第165页 |
| ·研究展望 | 第165-167页 |
| 致 谢 | 第167-168页 |
| 参考文献 | 第168-178页 |
| 附录 1 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第178页 |