| 第一章 绪论 | 第1-19页 |
| ·低温下功率器件研究的意义 | 第8-10页 |
| ·低温下功率器件以及电路的研究现状 | 第10-13页 |
| ·低温功率器件的研究现状 | 第10-11页 |
| ·低温下电路的研究现状 | 第11-13页 |
| ·低温电子技术的应用领域 | 第13-15页 |
| ·本论文的主要工作 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-19页 |
| 第二章 功率MOSFET工作原理及基本特性 | 第19-33页 |
| ·功率MOSFET内部结构 | 第19-21页 |
| ·功率MOSFET基本工作原理 | 第21-23页 |
| ·功率 MOSFET 的主要参数 | 第23-26页 |
| ·功率 MOSFET 的基本特性 | 第26-32页 |
| ·静态特性 | 第26-27页 |
| ·动态特性 | 第27-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 硅材料重要参数低温下的特性分析 | 第33-48页 |
| ·硅载流子统计 | 第33-35页 |
| ·硅禁带宽度 | 第35-37页 |
| ·硅本征载流子浓度 | 第37-39页 |
| ·硅载流子迁移率 | 第39-42页 |
| ·体载流子迁移率 | 第40-41页 |
| ·反型层电子迁移率 | 第41-42页 |
| ·积累层电子迁移率 | 第42页 |
| ·硅载流子寿命 | 第42-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第四章 实验测试平台的搭建以及测试方法的介绍 | 第48-59页 |
| ·实验测试硬件平台的搭建 | 第48-49页 |
| ·仪器控制接口GPIB | 第49-50页 |
| ·GPIB的简单介绍 | 第49-50页 |
| ·GPIB仪器的连接 | 第50页 |
| ·实验测试主程序以及数字表驱动程序的编写 | 第50-55页 |
| ·LABVIEW程序的组成 | 第50-51页 |
| ·测试主程序的编写 | 第51-54页 |
| ·数字表驱动程序的编写 | 第54-55页 |
| ·实验的测试方法 | 第55-58页 |
| ·通态阻抗低温下的测试方法 | 第55页 |
| ·阀值电压低温下的测试方法 | 第55-56页 |
| ·开关特性低温下的测试方法 | 第56-57页 |
| ·击穿电压低温下的测试方法 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第五章 功率MOSFET主要参数随温度变化的测试结果 | 第59-80页 |
| ·阀值电压 | 第59-63页 |
| ·击穿电压 | 第63-67页 |
| ·通态阻抗 | 第67-72页 |
| ·转移特性和输出特性 | 第72-74页 |
| ·正向偏置安全工作区和开关特性 | 第74-79页 |
| 参考文献 | 第79-80页 |
| 第六章 200瓦BUCK电路在77K下的研究 | 第80-90页 |
| ·无源和有源器件低温下的测试以及电路常温下的仿真 | 第80-83页 |
| ·常温和低温下BUCK电路的性能比较 | 第83-89页 |
| 参考文献 | 第89-90页 |
| 第七章 结论 | 第90-92页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第92-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |