| 第一章 绪论 | 第1-15页 |
| ·电荷耦合器件的产生及其特点 | 第4-5页 |
| ·CCD的发展状况 | 第5-13页 |
| ·本文的主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 CCD的工作原理及特性 | 第15-32页 |
| ·CCD的工作原理 | 第15-26页 |
| ·电荷耦合摄像器件(ICCD) | 第26-32页 |
| 第三章 两沟道与三沟道BCCD光电特性的理论研究 | 第32-42页 |
| ·BCCD结构(一维物理模型) | 第32-37页 |
| ·BCCD沟道光弛豫过程的数学表示 | 第37-42页 |
| 第四章 数值计算结果及讨论 | 第42-53页 |
| ·硅制三沟道BCCD对0.4μm≤λ≤1.0μm光学辐射响应的光弛豫过程 | 第42-45页 |
| ·近红外光区光电特性的数值模拟 | 第45-53页 |
| 第五章 回顾与展望 | 第53-54页 |
| 英文摘要 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 致 谢 | 第59-60页 |