| 第一章 绪论 | 第1-14页 |
| §1—1 砷化镓金属—半导体场效应晶体管的发展现状 | 第9-10页 |
| 1-1-1 砷化镓金属—半导体场效应晶体管 | 第9-10页 |
| 1-1-2 GaAs MESFET器件的发展现状及应用 | 第10页 |
| §1—2 限制GaAs MESFET输出功率的因素及改进方法 | 第10-12页 |
| §1—3 高耐压GaAs MESFET的研究进展 | 第12-13页 |
| 1-3-1 概述 | 第12页 |
| 1-3-2 国外几种较成功的高耐压GaAs MESFET | 第12-13页 |
| §1—4 本文研究的主要内容 | 第13-14页 |
| 第二章 GaAs MESFET器件工作原理和制备工艺 | 第14-23页 |
| §2—1 GaAs MESFET器件工作原理 | 第14-15页 |
| 2-1-1 电子漂移速度与电场的关系 | 第14页 |
| 2-1-2 电流饱和特性 | 第14-15页 |
| 2-1-3 扫描输出特性曲线 | 第15页 |
| §2—2 GaAs MESFET器件制备工艺 | 第15-23页 |
| 2-2-1 图形光刻 | 第16页 |
| 2-2-2 源漏制备 | 第16-17页 |
| 2-2-3 栅制备 | 第17-19页 |
| 2-2-4 钝化 | 第19-20页 |
| 2-2-5 空气桥 | 第20-21页 |
| 2-2-6 干法刻蚀与通路孔 | 第21-23页 |
| 第三章 功率GaAs MESFET击穿特性及其改善方法 | 第23-26页 |
| §3—1 MESFET击穿特性 | 第23-24页 |
| §3—2 改善击穿特性的方法 | 第24-26页 |
| 3-2-1 表面处理和钝化 | 第24-25页 |
| 3-2-2 器件纵向材料和结构 | 第25页 |
| 3-2-3 器件平面结构 | 第25-26页 |
| 第四章 器件设计 | 第26-29页 |
| §4—1 电学设计 | 第26-27页 |
| §4—2 结构设计 | 第27-29页 |
| 4-2-1 材料设计 | 第27-28页 |
| 4-2-2 版图设计 | 第28-29页 |
| 第五章 GaAs MESFET器件制备 | 第29-47页 |
| §5—1 材料生长 | 第29-35页 |
| 5-1-1 MBE设备及其工作原理 | 第29-31页 |
| 5-1-2 低温GaAs材料的生长与测试 | 第31-34页 |
| 5-1-3 MESFET结构材料生长与测试 | 第34-35页 |
| §5—2 器件制备 | 第35-43页 |
| 5-2-1 选择湿法腐蚀实验 | 第35-38页 |
| 5-2-2 源漏合金实验 | 第38-41页 |
| 5-2-3 器件制作工序 | 第41-43页 |
| §5—3 器件特性 | 第43-47页 |
| 第六章 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第52页 |
