| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-31页 |
| ·SiC 发展历史、国内外研究现状及发展前景 | 第9-13页 |
| ·SiC 的发展历史 | 第9-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11页 |
| ·SiC 的发展前景 | 第11-13页 |
| ·SiC 结构特性与应用 | 第13-19页 |
| ·SiC 结构特性 | 第13-17页 |
| ·SiC 的应用 | 第17-19页 |
| ·SiC 的制备方法 | 第19-25页 |
| ·溅射法 | 第19-23页 |
| ·CVD 法 | 第23-25页 |
| ·液相外延法 | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第27页 |
| 参考文献 | 第27-31页 |
| 第二章 热灯丝CVD 设备的设计组装 | 第31-43页 |
| ·HFCVD 方法的历史发展概况 | 第31-32页 |
| ·HFCVD 原理、结构及设计组装 | 第32-35页 |
| ·HFCVD 方法的沉积特性 | 第35-36页 |
| ·HFCVD 法制备Si 系材料的进展及成果 | 第36-37页 |
| ·HFCVD 法制备SiC 材料基本方法 | 第37-38页 |
| ·HFCVD 制备SiC 技术面临有待解决的问题 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献: | 第40-43页 |
| 第三章 HFCVD 方法沉积纳米SiC 薄膜及结构表征研究 | 第43-66页 |
| ·SiC 纳米晶薄膜的HFCVD 生长研究 | 第43-51页 |
| ·钨丝处理 | 第43-47页 |
| ·衬底的选择、清洗及处理 | 第47-48页 |
| ·缓冲层制备 | 第48-49页 |
| ·纳米SiC 薄膜HFCVD 生长 | 第49-51页 |
| ·HFCVD 法生长纳米SiC 薄膜的表征研究 | 第51-61页 |
| ·样品的扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第51-54页 |
| ·X 射线能谱(EDS)分析 | 第54-58页 |
| ·X 射线衍射(XRD)分析 | 第58-61页 |
| ·HFCVD 法低温生长SiC 膜机理探讨 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第四章 HFCVD 沉积纳米SiC 薄膜的光谱研究 | 第66-87页 |
| ·热丝CVD 制备的SiC 薄膜的红外光谱研究 | 第66-69页 |
| ·傅立叶红外技术(FTIR) | 第66-68页 |
| ·傅立叶红外吸收(FTIR)分析 | 第68-69页 |
| ·样品的光致发光(PL)特性 | 第69-72页 |
| ·光致发光技术(PL) | 第69-71页 |
| ·热丝CVD 制备SiC 薄膜材料的光致发光光谱研究 | 第71-72页 |
| ·样品的时间分辨测试 | 第72-76页 |
| ·时间分辨光谱技术 | 第72-74页 |
| ·热丝CVD 制备SiC 薄膜材料的时间分辨光谱研究 | 第74-76页 |
| ·H_2 稀释度不同对样品结构和组分的影响 | 第76-79页 |
| ·碳化时间不同对样品结构、组分和发光特性的影响 | 第79-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 第五章 结束语 | 第87-89页 |
| 作者简介 | 第89页 |
| 攻读硕士学位期间参与的课题和取得的成果 | 第89-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
| 硕士学位论文原创性声明 | 第92页 |
