| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 前言 | 第7-10页 |
| 第一章 量子阱中的基本理论 | 第10-21页 |
| 1．1 量子阱及InGaN/GaN量子阱简介 | 第10-12页 |
| 1．2 量子阱中的带间跃迁和激子束缚能 | 第12-15页 |
| 1．3 非对称量子阱 | 第15-17页 |
| 1．4 量子阱的制备方法简介 | 第17-21页 |
| 第二章 理论模型和计算方法 | 第21-37页 |
| 2．1 GaN基量子阱中的能带结构 | 第21-26页 |
| 2．2 GaN量子阱中的压电场 | 第26-29页 |
| 2．3 GaN基量子阱中有效质量薛定谔方程的求解方法 | 第29-31页 |
| 2．4 量子阱中的三阶极化率 | 第31-37页 |
| 第三章 计算结果与讨论 | 第37-42页 |
| 第四章 InGaN/GaN量子阱的实验研究 | 第42-45页 |
| 第五章 结论与展望 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 硕士期间发表论文 | 第50页 |