摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第一章 绪论 | 第9-13页 |
·引言 | 第9-10页 |
·国内外量子阱混合的研究现状及前景 | 第10-11页 |
·本论文的研究工作 | 第11-13页 |
第二章 量子阱混合的机理和实验方法 | 第13-34页 |
·量子阱混合的机理 | 第13-24页 |
·量子阱 | 第13-15页 |
·带隙蓝移 | 第15-21页 |
·量子阱混合的方法 | 第21-24页 |
·实验方法 | 第24-34页 |
·离子注入 | 第24-28页 |
·PECVD技术 | 第28-29页 |
·快速热退火(RTA) | 第29页 |
·光致发光(PL)谱 | 第29-32页 |
·透射电子显微镜(TEM) | 第32-34页 |
第三章 磷离子注入诱导InGaAsP/InP多量子阱结构的混合 | 第34-40页 |
·实验过程 | 第34-35页 |
·结果与讨论 | 第35-39页 |
·小结 | 第39-40页 |
第四章 磷离子注入诱导InGaAsP/InP双量子阱结构的混合 | 第40-51页 |
·样品设计的目的及结构 | 第40-41页 |
·实验过程 | 第41-42页 |
·结果与讨论 | 第42-49页 |
·PL结果与分析 | 第42-48页 |
·TEM分析 | 第48-49页 |
·小结 | 第49-51页 |
第五章 全文总结 | 第51-53页 |
·全文总结 | 第51-52页 |
·今后工作的展望 | 第52-53页 |
参考文献 | 第53-60页 |
附录:攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第60-61页 |
致谢 | 第61页 |