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磷离子注入诱导InGaAsP/InP量子阱结构混合的研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 绪论第9-13页
   ·引言第9-10页
   ·国内外量子阱混合的研究现状及前景第10-11页
   ·本论文的研究工作第11-13页
第二章 量子阱混合的机理和实验方法第13-34页
   ·量子阱混合的机理第13-24页
     ·量子阱第13-15页
     ·带隙蓝移第15-21页
     ·量子阱混合的方法第21-24页
   ·实验方法第24-34页
     ·离子注入第24-28页
     ·PECVD技术第28-29页
     ·快速热退火(RTA)第29页
     ·光致发光(PL)谱第29-32页
     ·透射电子显微镜(TEM)第32-34页
第三章 磷离子注入诱导InGaAsP/InP多量子阱结构的混合第34-40页
   ·实验过程第34-35页
   ·结果与讨论第35-39页
   ·小结第39-40页
第四章 磷离子注入诱导InGaAsP/InP双量子阱结构的混合第40-51页
   ·样品设计的目的及结构第40-41页
   ·实验过程第41-42页
   ·结果与讨论第42-49页
     ·PL结果与分析第42-48页
     ·TEM分析第48-49页
   ·小结第49-51页
第五章 全文总结第51-53页
   ·全文总结第51-52页
   ·今后工作的展望第52-53页
参考文献第53-60页
附录:攻读硕士学位期间发表的学术论文第60-61页
致谢第61页

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