氧吸附和拓扑缺陷对碳纳米管电子输运性能的影响
摘要 | 第1-9页 |
Abstract | 第9-11页 |
插图索引 | 第11-13页 |
附表索引 | 第13-14页 |
第1章 绪论 | 第14-28页 |
·碳纳米管的原子结构 | 第15-18页 |
·手性矢量C_h | 第16-17页 |
·平移矢量T | 第17页 |
·对称性矢量R | 第17-18页 |
·碳纳米管的制备及纯化 | 第18-20页 |
·电弧法 | 第18页 |
·激光蒸发法 | 第18-19页 |
·有机物气相催化热解法 | 第19页 |
·碳纳米管的纯化 | 第19-20页 |
·碳纳米管的生长机理 | 第20-21页 |
·碳纳米管的电学性质 | 第21-24页 |
·金属型或半导体型电子结构 | 第22页 |
·弹道输运 | 第22页 |
·库仑阻塞效应 | 第22-23页 |
·低温下的负电阻温度系数和超导效应 | 第23页 |
·表面吸附效应 | 第23-24页 |
·碳纳米管的应用前景 | 第24-26页 |
·纳米电子器件 | 第24-25页 |
·碳纳米管场致发射显示器 | 第25页 |
·纳米传感器 | 第25-26页 |
·碳纳米管STM/AFM针尖 | 第26页 |
·本文的工作和目的 | 第26-28页 |
第2章 第一性原理和非平衡格林函数方法 | 第28-46页 |
·多粒子体系的第一性原理 | 第28-39页 |
·Hartree-Fock近似 | 第29-30页 |
·密度泛函理论 | 第30-32页 |
·局域密度近似 | 第32-33页 |
·一般梯度近似 | 第33-35页 |
·赝势 | 第35-39页 |
·电子输运的非平衡格林函数—密度泛函方法 | 第39-45页 |
·局域非正交基矢 | 第41-42页 |
·平衡态密度的复围道积分 | 第42-43页 |
·计算非平衡密度矩阵的自洽方法 | 第43-44页 |
·非平衡有效势 | 第44-45页 |
·电导公式 | 第45页 |
·本章小结 | 第45-46页 |
第3章 氧吸附对碳纳米管电学性能的影响 | 第46-55页 |
·氧物理吸附 | 第46-52页 |
·计算方法和模型 | 第47-48页 |
·氧分子的物理束缚能 | 第48页 |
·电子结构 | 第48-49页 |
·吸收光谱 | 第49-52页 |
·氧化学吸附 | 第52-54页 |
·计算方法和模型 | 第52页 |
·计算结果和讨论 | 第52-54页 |
·本章小结 | 第54-55页 |
第4章 拓扑缺陷对碳纳米管电学性能的影响 | 第55-60页 |
·Stone-Wales形变 | 第55-56页 |
·计算模型和结果 | 第56-59页 |
·本章小结 | 第59-60页 |
第5章 碳纳米管异质结的电子输运性质 | 第60-76页 |
·碳纳米管异质结的几何构造 | 第60-63页 |
·理论模型 | 第63-65页 |
·计算结果与讨论 | 第65-75页 |
·定域态和金属诱生能隙态 | 第65-67页 |
·定域态的相干效应 | 第67-73页 |
·非线性电子输运 | 第73-75页 |
·本章小结 | 第75-76页 |
结论 | 第76-78页 |
参考文献 | 第78-86页 |
致谢 | 第86-88页 |
附录A (攻读学位期间所发表的学术论文目录) | 第88页 |