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硫化砷非晶态半导体薄膜的光致效应技术研究

中文摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-24页
   ·引言第9页
   ·硫系非晶态半导体概述第9-14页
   ·硫系非晶态半导体的光致效应第14-19页
     ·光致标量效应第15-16页
     ·光致矢量效应第16-18页
     ·光致效应的总结第18-19页
   ·硫系非晶态半导体薄膜波导的优点第19-20页
   ·本课题的意义和研究内容第20-21页
   ·本论文的创新点以及有待改善的问题第21-24页
第二章 平面光波导理论与棱镜耦合实验方法第24-39页
   ·平板波导的射线光学第24-26页
   ·棱镜耦合实验方法第26-38页
     ·棱镜耦合理论第26-29页
     ·棱镜耦合法应用于薄膜折射率和厚度的测试第29-38页
   ·本章小节第38-39页
第三章 As_2S_8薄膜的分子构造及能带模型第39-46页
   ·硫系非晶态半导体材料中的缺陷态第39-41页
     ·悬挂键模型( MDS 模型)第39-40页
     ·换价对模型(KAF 模型)第40-41页
   ·A5_2S_8薄膜的分子构造第41-43页
   ·A5_2S_8薄膜的能带模型第43-45页
   ·本章小节第45-46页
第四章 As_2S_8薄膜的制备技术第46-53页
   ·As_2S_8材料的制备第46-47页
   ·As_2S_8薄膜的制备工艺第47-49页
   ·散射的影响及改善第49-52页
   ·本章小结第52-53页
第五章 As_2S_8蒸镀膜的光致效应第53-65页
   ·实验装置第53页
   ·As_2S_8蒸镀膜的光折变现象第53-56页
   ·As_2S_8蒸镀膜的光致体积膨胀现象第56-59页
   ·As_2S_8蒸镀膜的X 射线衍射谱第59-61页
   ·As_2S_8蒸镀膜的远红外反射谱第61页
   ·As_2S_8蒸镀膜的可见光透射谱第61-62页
   ·光致效应的机理分析第62-64页
   ·本章小节第64-65页
第六章 As_2S_8薄膜的热处理效应第65-71页
   ·热处理工艺第65页
   ·热处理引起的折射率变化第65-66页
   ·热处理引起的膜厚变化第66-67页
   ·As_2S_8薄膜热处理效应的机理分析第67-70页
   ·本章小节第70-71页
第七章 As_2S_8薄膜的光作用和退火作用的关连效应第71-82页
   ·光照-退火第71-72页
   ·退火-光照第72-76页
   ·非饱和光照与退火关连作用第76-78页
   ·退火-光照-退火-光照第78-80页
   ·本章小结第80-82页
第八章 As_2S_8薄膜波导的光阻断效应第82-90页
   ·波导实验第82-84页
   ·光阻断效应机理的推断与分析第84-89页
   ·本章小结第89-90页
第九章 As_2S_8条波导的制备技术第90-99页
   ·制备As_2S_8条波导的工艺研究第90-95页
     ·传统工艺制备As_2S_8条波导第90-92页
     ·光激励法制备As_2S_8条波导第92-95页
   ·As_2S_8条形波导的退火实验第95-96页
   ·本章小结第96-99页
第十章 As_2S_8条波导的光阻断效应及其应用第99-107页
   ·As_2S_8条波导光阻断效应实验及其结果第99-100页
   ·As_2S_8条波导光阻断开光效应(时间特性)第100-101页
   ·As_2S_8波导型光截止器件的设计与制作第101-103页
   ·LiN603-As_2S_8复合波导型光截止器件的设计与制作第103-106页
   ·本章小结第106-107页
第十一章 As_2S_8薄膜的光生伏特效应第107-112页
   ·As_2S_8薄膜的光生伏特效应实验及结果第107-110页
   ·As_2S_8薄膜的光生伏特效应机理分析第110-111页
   ·本章小结第111-112页
第十二章 总结第112-114页
参考文献第114-122页
在读期间公开发表的论文和承担科研项目及取得成果第122-123页
致谢第123-125页

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