中文摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-9页 |
第一章 绪论 | 第9-24页 |
·引言 | 第9页 |
·硫系非晶态半导体概述 | 第9-14页 |
·硫系非晶态半导体的光致效应 | 第14-19页 |
·光致标量效应 | 第15-16页 |
·光致矢量效应 | 第16-18页 |
·光致效应的总结 | 第18-19页 |
·硫系非晶态半导体薄膜波导的优点 | 第19-20页 |
·本课题的意义和研究内容 | 第20-21页 |
·本论文的创新点以及有待改善的问题 | 第21-24页 |
第二章 平面光波导理论与棱镜耦合实验方法 | 第24-39页 |
·平板波导的射线光学 | 第24-26页 |
·棱镜耦合实验方法 | 第26-38页 |
·棱镜耦合理论 | 第26-29页 |
·棱镜耦合法应用于薄膜折射率和厚度的测试 | 第29-38页 |
·本章小节 | 第38-39页 |
第三章 As_2S_8薄膜的分子构造及能带模型 | 第39-46页 |
·硫系非晶态半导体材料中的缺陷态 | 第39-41页 |
·悬挂键模型( MDS 模型) | 第39-40页 |
·换价对模型(KAF 模型) | 第40-41页 |
·A5_2S_8薄膜的分子构造 | 第41-43页 |
·A5_2S_8薄膜的能带模型 | 第43-45页 |
·本章小节 | 第45-46页 |
第四章 As_2S_8薄膜的制备技术 | 第46-53页 |
·As_2S_8材料的制备 | 第46-47页 |
·As_2S_8薄膜的制备工艺 | 第47-49页 |
·散射的影响及改善 | 第49-52页 |
·本章小结 | 第52-53页 |
第五章 As_2S_8蒸镀膜的光致效应 | 第53-65页 |
·实验装置 | 第53页 |
·As_2S_8蒸镀膜的光折变现象 | 第53-56页 |
·As_2S_8蒸镀膜的光致体积膨胀现象 | 第56-59页 |
·As_2S_8蒸镀膜的X 射线衍射谱 | 第59-61页 |
·As_2S_8蒸镀膜的远红外反射谱 | 第61页 |
·As_2S_8蒸镀膜的可见光透射谱 | 第61-62页 |
·光致效应的机理分析 | 第62-64页 |
·本章小节 | 第64-65页 |
第六章 As_2S_8薄膜的热处理效应 | 第65-71页 |
·热处理工艺 | 第65页 |
·热处理引起的折射率变化 | 第65-66页 |
·热处理引起的膜厚变化 | 第66-67页 |
·As_2S_8薄膜热处理效应的机理分析 | 第67-70页 |
·本章小节 | 第70-71页 |
第七章 As_2S_8薄膜的光作用和退火作用的关连效应 | 第71-82页 |
·光照-退火 | 第71-72页 |
·退火-光照 | 第72-76页 |
·非饱和光照与退火关连作用 | 第76-78页 |
·退火-光照-退火-光照 | 第78-80页 |
·本章小结 | 第80-82页 |
第八章 As_2S_8薄膜波导的光阻断效应 | 第82-90页 |
·波导实验 | 第82-84页 |
·光阻断效应机理的推断与分析 | 第84-89页 |
·本章小结 | 第89-90页 |
第九章 As_2S_8条波导的制备技术 | 第90-99页 |
·制备As_2S_8条波导的工艺研究 | 第90-95页 |
·传统工艺制备As_2S_8条波导 | 第90-92页 |
·光激励法制备As_2S_8条波导 | 第92-95页 |
·As_2S_8条形波导的退火实验 | 第95-96页 |
·本章小结 | 第96-99页 |
第十章 As_2S_8条波导的光阻断效应及其应用 | 第99-107页 |
·As_2S_8条波导光阻断效应实验及其结果 | 第99-100页 |
·As_2S_8条波导光阻断开光效应(时间特性) | 第100-101页 |
·As_2S_8波导型光截止器件的设计与制作 | 第101-103页 |
·LiN603-As_2S_8复合波导型光截止器件的设计与制作 | 第103-106页 |
·本章小结 | 第106-107页 |
第十一章 As_2S_8薄膜的光生伏特效应 | 第107-112页 |
·As_2S_8薄膜的光生伏特效应实验及结果 | 第107-110页 |
·As_2S_8薄膜的光生伏特效应机理分析 | 第110-111页 |
·本章小结 | 第111-112页 |
第十二章 总结 | 第112-114页 |
参考文献 | 第114-122页 |
在读期间公开发表的论文和承担科研项目及取得成果 | 第122-123页 |
致谢 | 第123-125页 |