| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-22页 |
| ·人工低维材料的兴起 | 第9-10页 |
| ·量子点材料的发展前景及实际应用 | 第10-12页 |
| ·ZnO半导体材料基本特性 | 第12-14页 |
| ·ZnO纳米结构研究进展及ZnO材料的研究热点 | 第14-20页 |
| ·本论文研究意义及内容安排 | 第20页 |
| 参考文献 | 第20-22页 |
| 第二章 半导体低维结构主要制备方法及表征手段 | 第22-31页 |
| ·主要制备方法 | 第22-24页 |
| ·分子束外延技术(MBE) | 第22页 |
| ·金属有机化学气相淀积(MOCVD) | 第22-23页 |
| ·纳米结构自组装是制备量子结构最有前途的方法之一 | 第23-24页 |
| ·半导体低维结构的主要表征手段 | 第24-30页 |
| ·X 射线衍射谱 | 第24-25页 |
| ·光致发光光谱及微区拉曼谱仪 | 第25-27页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第27-30页 |
| 参考文献 | 第30-31页 |
| 第三章 变分法研究ZnO 量子点中激子的基态特性 | 第31-48页 |
| ·量子点电子结构理论研究进展 | 第31-33页 |
| ·变分法研究ZnO量子点中激子的基态特性 | 第33-45页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·理论模型与计算过程 | 第33-42页 |
| ·计算结果与讨论 | 第42-45页 |
| ·小结 | 第45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 第四章 非晶 ZnO/纳米晶 ZnO 转化过程研究及电泳法制备高质量非晶ZnO、纳米晶ZnO 薄膜 | 第48-66页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·材料制备及表征 | 第48-49页 |
| ·非晶 ZnO/纳米晶 ZnO 转化过程分析 | 第49-56页 |
| ·非晶ZnO/纳米晶ZnO三维受限量子结构 | 第56-60页 |
| ·电泳法制备高质量非晶 ZnO 和纳米晶ZnO 薄膜 | 第60-63页 |
| ·小结 | 第63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 第五章 Mn修饰、掺杂的纳米晶ZnO光学及磁学特性研究 | 第66-87页 |
| ·ZnO 基稀磁半导体研究进展 | 第66-73页 |
| ·引言 | 第66-67页 |
| ·ZnO 基稀磁半导体理论研究进展 | 第67-68页 |
| ·ZnO 基稀磁半导体实验研究进展 | 第68-73页 |
| ·Mn 掺杂、修饰的纳米晶ZnO 制备及光学、磁学性质研究 | 第73-84页 |
| ·引言 | 第73页 |
| ·材料制备与表征 | 第73-74页 |
| ·Mn 掺杂、修饰的纳米晶ZnO 结构、光学与磁学性质研究 | 第74-84页 |
| ·小结 | 第84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 第六章 C 掺杂纳米晶ZnO 制备及光学性质研究 | 第87-95页 |
| ·C_(60)及C纳米管基本性质 | 第87-89页 |
| ·C掺杂纳米晶ZnO的制备、表征与光学性质研究 | 第89-93页 |
| ·C掺杂纳米晶ZnO的制备与表征 | 第89页 |
| ·C掺杂纳米晶ZnO结构与光学性质研究 | 第89-93页 |
| ·小结 | 第93页 |
| 参考文献 | 第93-95页 |
| 第七章 结论与展望 | 第95-96页 |
| 作者简介 | 第96-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 博士学位论文原创性声明 | 第100页 |
