| 引言 | 第1-9页 |
| 第一章 离散变分方法原理 | 第9-27页 |
| ·密度泛函理论 | 第9-15页 |
| ·Hohenberg-Kohn 理论 | 第9-13页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第13-15页 |
| ·DVM 的一般公式 | 第15-16页 |
| ·DVM 构造基函数 | 第16-21页 |
| ·数值原子基 | 第16-19页 |
| ·对称轨道 | 第19-20页 |
| ·“冻芯”近似 | 第20-21页 |
| ·DVM 数值积分 | 第21-24页 |
| ·赝无规取点方式 | 第21-23页 |
| ·求积规则 | 第23-24页 |
| ·电荷、组态和磁矩 | 第24-25页 |
| ·交换?关联势 | 第25-26页 |
| ·小结 | 第26-27页 |
| 第二章 稀磁半导体材料研究现状及进展 | 第27-37页 |
| ·引言 | 第27-28页 |
| ·DMS 的实验研究 | 第28-33页 |
| ·III-V 族DMS 的制备 | 第28-29页 |
| ·DMS 的晶格特性 | 第29-30页 |
| ·DMS 的磁性质 | 第30-33页 |
| ·DMS 的理论研究 | 第33-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第三章 稀磁半导体(Ga,Cr)N 和(Ga,Mn)As | 第37-51页 |
| ·对(Ga,Cr)N 的第一原理研究 | 第37-46页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·计算方法 | 第38-39页 |
| ·(Ga,Cr)N 的电子结构和磁性 | 第39-46页 |
| ·小结 | 第46页 |
| ·对(Ga,Mn)As 的第一原理研究 | 第46-51页 |
| 第四章 对比(Ga,Cr)N 和(Ga,Mn)As | 第51-57页 |
| 第五章 GaAs掺杂3d族过渡金属的研究 | 第57-69页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·计算方法和模型 | 第57-60页 |
| ·计算结果的分析与讨论 | 第60-67页 |
| ·小结 | 第67-69页 |
| 第六章 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 学位论文独创性声明 | 第76-77页 |
| 学位论文知识产权权属声明 | 第77页 |