| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-12页 |
| 参考文献 | 第10-12页 |
| 第二章 低维半导体的基本性质及发展概况 | 第12-30页 |
| ·低维半导体的概况 | 第12-14页 |
| ·低维半导体的电子态 | 第14-18页 |
| ·量子阱的电子态 | 第14-16页 |
| ·量子线和量子点的电子态 | 第16-18页 |
| ·低维半导体材料的制备和表征 | 第18-20页 |
| ·低维半导体材料的制备 | 第18-19页 |
| ·半导体低维材料的表征方法 | 第19-20页 |
| ·II-VI 族低维半导体材料的应用及研究进展 | 第20-26页 |
| ·蓝绿色发光器件及激光器 | 第20-22页 |
| ·激子隧穿器件 | 第22-25页 |
| ·非线性光学双稳器件 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-30页 |
| 第三章 低维结构中的光学测量方法 | 第30-47页 |
| ·稳态光谱测量方法 | 第30-32页 |
| ·吸收光谱和激发光谱 | 第30-31页 |
| ·发射光谱 | 第31页 |
| ·喇曼散射谱 | 第31-32页 |
| ·超快光谱技术 | 第32-44页 |
| ·超短脉冲激光技术 | 第32-34页 |
| ·白光超短脉冲产生 | 第34-36页 |
| ·超快光谱测量技术 | 第36-42页 |
| ·超快光谱在低维半导体材料中的应用 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-47页 |
| 第四章 ZnTe 基和ZnSe 基低维复合结构中的载流子动力学过程 | 第47-70页 |
| ·激子隧穿的基本性质 | 第47-51页 |
| ·非对称量子阱的电子和空穴隧穿 | 第47-50页 |
| ·非对称量子阱的激子隧穿 | 第50-51页 |
| ·CdZnTe/ZnTe/ZnSeTe 复合量子阱的载流子行为 | 第51-62页 |
| ·ZnSeTe/ZnTe 多量子阱的能级结构和激子动力学过程 | 第51-58页 |
| ·CdZnTe/ZnTe/SeZnTe 复合量子阱的载流子行为 | 第58-62页 |
| ·CdZnSe/ZnSe/CdSe 量子阱/量子点复合结构的激子隧穿 | 第62-67页 |
| 小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第五章 ZnCdSe/ZnSe/CdSe 量子阱/量子点复合结构中的激子复合 | 第70-92页 |
| ·激子复合的基本性质 | 第71-76页 |
| ·激子复合发光峰能量、线宽和激子热离化与温度的关系 | 第71-73页 |
| ·激子隧穿在激子复合过程中的作用 | 第73-76页 |
| ·量子阱/量子点复合结构中量子点的发光特性 | 第76-83页 |
| ·垒层厚度对阱/点复合结构中的量子点发光特性的影响 | 第83-90页 |
| 小结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-92页 |
| 第六章 SiC 纳米棒的光学性质 | 第92-105页 |
| ·SiC 的基本性质和研究进展 | 第92-94页 |
| ·SiC 纳米棒的合成 | 第94-97页 |
| ·SiC 纳米棒的光学性质及发光机理研究 | 第97-102页 |
| 小结 | 第102页 |
| 参考文献 | 第102-105页 |
| 第七章 结论 | 第105-106页 |
| 作者简介 | 第106页 |
| 读博士学位期间参与的课题和取得的成果 | 第106-107页 |
| 致 谢 | 第107-108页 |
| 博士学位论文原创性声明 | 第108页 |
