| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-14页 |
| 第一章绪论 | 第14-37页 |
| ·低维半导体材料概述 | 第14-15页 |
| ·半导体中的电子态 | 第15-18页 |
| ·量子点的形成 | 第18-21页 |
| ·相关研究进展与应用前景 | 第21-24页 |
| ·本文的组织结构 | 第24-25页 |
| ·本文的主要创新点及不足 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-37页 |
| 第二章分子束外延生长技术及表征技术简介 | 第37-47页 |
| ·分子束外延技术（MBE） | 第37-39页 |
| ·扫描探针显微镜 | 第39-41页 |
| ·光谱测量 | 第41-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第三章在InGaAs 应变层上生长 InAs 量子点 | 第47-82页 |
| ·研究背景 | 第47-48页 |
| ·载流子在量子点中迁移的理论模型及激子寿命 | 第48-55页 |
| ·激子跃迁与激子寿命 | 第48-49页 |
| ·量子点体系的载流子迁移过程 | 第49-55页 |
| ·样品制备 | 第55-56页 |
| ·实验结果与讨论 | 第56-75页 |
| ·形貌分析 | 第56-58页 |
| ·低温 PL 谱 | 第58-59页 |
| ·变温 PL 谱 | 第59-64页 |
| ·时间分辨谱 | 第64-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-82页 |
| 第四章 多层结构 InAs 量子点的光致发光研究 | 第82-121页 |
| ·引言 | 第82-83页 |
| ·InAs/GaAs 和 InAs/InAsGa/GaAs 多层结构的光致发光研究 | 第83-92页 |
| ·样品结构与制备 | 第83页 |
| ·结果与讨论 | 第83-91页 |
| ·本节小结 | 第91-92页 |
| ·InGaAs/InAlAs 联合盖帽层对 InAs 量子点光学性质的影响 | 第92-102页 |
| ·引言 | 第92-94页 |
| ·样品结构 | 第94页 |
| ·结果与讨论 | 第94-101页 |
| ·本节小结 | 第101-102页 |
| ·在 InGaAs/GaAs 量子阱中生长量子点（DWELL） | 第102-115页 |
| ·前言 | 第102-103页 |
| ·样品结构 | 第103-105页 |
| ·PL 谱测量 | 第105-115页 |
| ·本节小结 | 第115页 |
| ·本章小结 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-121页 |
| 第五章 室温1.48 μm 发光、高温度稳定性 InAs/GaAs 量子点 | 第121-128页 |
| ·前言 | 第121-122页 |
| ·样品制备 | 第122页 |
| ·结果与讨论 | 第122-125页 |
| ·本章小结 | 第125-126页 |
| 参考文献 | 第126-128页 |
| 结论 | 第128-130页 |
| 博士期间发表的论文 | 第130-132页 |
| A.已发表和已接受论文: | 第130-131页 |
| B.学术会议论文: | 第131-132页 |
| 致谢 | 第132页 |
