| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-9页 |
| 第二章 半导体异质结中极化子回旋共振及其压力效应 | 第9-23页 |
| 2．1 哈密顿量 | 第9-13页 |
| 2．2 回旋共振 | 第13-17页 |
| 2．3 压力效应 | 第17-18页 |
| 2．4 数值结果与讨论 | 第18-22页 |
| 2．5 结论 | 第22-23页 |
| 第三章 Ⅲ-Ⅴ族宽禁带含氮三元混晶半导体禁带宽度的计算 | 第23-27页 |
| 3．1 理论简述 | 第23-24页 |
| 3．2 数值结果与讨论 | 第24-26页 |
| 3．3 结论 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-30页 |
| 致谢 | 第30-31页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第31页 |