| 第一章 引言 | 第1-8页 |
| §1.1 国内外研究概况 | 第5-7页 |
| §1.2 本文研究内容 | 第7-8页 |
| 第二章 理论模型 | 第8-16页 |
| §2.1 量子阱中的束缚电子态 | 第8-9页 |
| §2.2 有限深量子阱结构中的声子 | 第9-10页 |
| §2.3 力平衡方程 | 第10-12页 |
| §2.4 准确到H_I最低阶的统计平均 | 第12-13页 |
| §2.5 量子阱中电子的迁移率 | 第13-14页 |
| §2.6 压力对参数的影响 | 第14-16页 |
| 第三章 量子阱中电子迁移率的数值计算和结果讨论 | 第16-23页 |
| §3.1 GaAs／AlAs量子阱中的电子迁移率 | 第16-20页 |
| §3.2 GaAs／Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱中的电子迁移率 | 第20-22页 |
| §3.3 结论 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-27页 |
| 致谢 | 第27-28页 |
| 攻读硕士学位期间发表及完成的论文 | 第28页 |