| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-20页 |
| ·氮化硅材料的发展 | 第10页 |
| ·氮化硅材料的用途 | 第10-13页 |
| ·氮化硅在结构材料和功能陶瓷中的应用 | 第10-11页 |
| ·氮化硅薄膜在微电子领域中的主要用途 | 第11页 |
| ·氮化硅是集成电路中最有前景的薄膜材料 | 第11-13页 |
| ·氮化硅在量子器件的应用 | 第13页 |
| ·氮化硅在光电子领域中的应用 | 第13页 |
| ·氮化硅材料的制备方法 | 第13-15页 |
| ·化学反应法 | 第13-14页 |
| ·化学气相沉积(CVD)法 | 第14页 |
| ·物理气相沉积(PVD)法 | 第14-15页 |
| ·氮化硅的组织和结构 | 第15-16页 |
| ·第一性原理计算的发展、作用及优点 | 第16-18页 |
| ·本论文的主要内容 | 第18-20页 |
| 第二章 基础理论与计算方法 | 第20-39页 |
| ·Born-Oppenheimer 近似 | 第20-21页 |
| ·Hartree-Fock 近似 | 第21-23页 |
| ·密度泛函理论 | 第23-26页 |
| ·Hobenberg-Kohn 定理 | 第24页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第24-26页 |
| ·局域密度近似和广义梯度修正近似 | 第26-29页 |
| ·赝势方法 | 第29-33页 |
| ·模守恒赝势 | 第30-33页 |
| ·超软赝势 | 第33页 |
| ·能带电子的平面波基底展开 | 第33-34页 |
| ·自洽运算和结构优化 | 第34-39页 |
| ·自洽运算 | 第34-35页 |
| ·结构优化 | 第35-37页 |
| ·k 空间取样规则 | 第37-38页 |
| ·快速傅立叶变换（FFT） | 第38-39页 |
| 第三章 β- Si_3N_4电子结构和光学性质的第一性原理研究 | 第39-48页 |
| ·概述 | 第39页 |
| ·计算模型和方法 | 第39-41页 |
| ·计算结果和讨论 | 第41-46页 |
| ·原胞结构优化结果 | 第41-42页 |
| ·能带结构分析 | 第42-43页 |
| ·电子结构分析 | 第43-46页 |
| ·光学性质分析 | 第46页 |
| ·结语 | 第46-48页 |
| 第四章 β- Si_3N_4掺C 的电子结构和光学性质的第一性原理研究 | 第48-54页 |
| ·概述 | 第48页 |
| ·计算方法和模型 | 第48-49页 |
| ·计算结果和讨论 | 第49-53页 |
| ·原胞结构优化结果 | 第49-50页 |
| ·原子布居分析 | 第50-51页 |
| ·能带结构和态密度分析 | 第51-53页 |
| ·光学性质分析 | 第53页 |
| ·结语 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-63页 |
| 附录 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |