首页--数理科学和化学论文--物理学论文--半导体物理学论文--半导体理论论文

含时谐振缺陷势对半导体超晶格输运特性的影响

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-7页
引言第7-9页
第一章 半导体超晶格的基本理论第9-13页
   ·瓦尼尔态和紧束缚模型第9页
   ·Wannier—Stark阶梯第9-10页
   ·Floquet定理第10-11页
   ·实验进展与应用第11-13页
第二章 在U(t,t)方法框架下计算局域态密度第13-28页
   ·研究含时系统的几种方法的介绍第13页
   ·外加电场驱动下的紧束缚模型的格林函数形式第13-16页
   ·在直流电场驱动下的超晶格中有随时间作简谐变化的缺陷势的紧束缚模型的局域态密度的计算第16-24页
     ·U(t,t)方法和Floquet-Green函数第16-17页
     ·谐振驱动势和矩阵连分式方法第17-20页
     ·在直流电场驱动下的超晶格中有随时间作简谐变化的缺陷势的紧束缚模型的局域态密度第20-24页
   ·数值计算和讨论第24-28页
第三章 直流电场驱动下具有谐振缺陷势的紧束缚模型的动力学演化第28-32页
   ·模型和方法第28-29页
   ·结论与数值计算第29-32页
第四章 结论和展望第32-34页
参考文献第34-37页
致谢第37-38页
承诺书第38页

论文共38页,点击 下载论文
上一篇:抗肿瘤新药人参次苷G(20(S)-人参皂苷Rg3)的质量研究
下一篇:芦荟活性成分的含量及其稳定性研究