| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 引言 | 第7-9页 |
| 第一章 半导体超晶格的基本理论 | 第9-13页 |
| ·瓦尼尔态和紧束缚模型 | 第9页 |
| ·Wannier—Stark阶梯 | 第9-10页 |
| ·Floquet定理 | 第10-11页 |
| ·实验进展与应用 | 第11-13页 |
| 第二章 在U(t,t)方法框架下计算局域态密度 | 第13-28页 |
| ·研究含时系统的几种方法的介绍 | 第13页 |
| ·外加电场驱动下的紧束缚模型的格林函数形式 | 第13-16页 |
| ·在直流电场驱动下的超晶格中有随时间作简谐变化的缺陷势的紧束缚模型的局域态密度的计算 | 第16-24页 |
| ·U(t,t)方法和Floquet-Green函数 | 第16-17页 |
| ·谐振驱动势和矩阵连分式方法 | 第17-20页 |
| ·在直流电场驱动下的超晶格中有随时间作简谐变化的缺陷势的紧束缚模型的局域态密度 | 第20-24页 |
| ·数值计算和讨论 | 第24-28页 |
| 第三章 直流电场驱动下具有谐振缺陷势的紧束缚模型的动力学演化 | 第28-32页 |
| ·模型和方法 | 第28-29页 |
| ·结论与数值计算 | 第29-32页 |
| 第四章 结论和展望 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-37页 |
| 致谢 | 第37-38页 |
| 承诺书 | 第38页 |