第一章 绪论 | 第1-18页 |
§1.1 团簇的研究概况 | 第10页 |
§1.2 团簇的基本性质及研究意义 | 第10-12页 |
§1.3 团簇研究的主要问题 | 第12-13页 |
§1.4 硅团簇及混合硅团簇的研究 | 第13-14页 |
§1.5 本论文的目的和主要工作 | 第14页 |
参考文献 | 第14-18页 |
第二章 团簇研究的理论方法 | 第18-35页 |
§2.1 引言 | 第18页 |
§2.2 总能量的计算方法 | 第18-28页 |
2.2.1 从头算法 | 第19-20页 |
2.2.2 密度泛函理论方法 | 第20-23页 |
2.2.3 半经验方法 | 第23-25页 |
2.2.4 经验势方法 | 第25-28页 |
§2.3 势能面的搜索方法 | 第28-29页 |
2.3.1 分子动力学方法 | 第28页 |
2.3.2 蒙特卡罗方法 | 第28页 |
2.3.3 遗传算法 | 第28-29页 |
§2.4 GAUSSIAN03软件的功能简介 | 第29-31页 |
参考文献 | 第31-35页 |
第三章 密度泛函方法研究RhSi_n(n=1-6)团簇 | 第35-49页 |
§3.1 引言 | 第35页 |
§3.2 计算方法 | 第35-36页 |
§3.3 结果与讨论 | 第36-45页 |
3.3.1 RhSi_n(n=1-6)团簇的几何构型和稳定性 | 第36-41页 |
3.3.2 束缚能和分裂能 | 第41-42页 |
3.3.3 布居分析 | 第42-43页 |
3.3.4 磁性分析 | 第43-44页 |
3.3.5 关于HOMO-LUMO的讨论 | 第44-45页 |
§3.4 总结 | 第45-47页 |
参考文献 | 第47-49页 |
第四章 RhSi_n~+和RhSi_n~-团簇的密度泛函理论研究 | 第49-67页 |
§4.1 引言 | 第49-50页 |
§4.2 计算方法 | 第50页 |
§4.3 结果与讨论 | 第50-61页 |
4.3.1 几何结构和稳定性 | 第51-53页 |
4.3.2 平均束缚能和分裂能 | 第53-56页 |
4.3.3 绝热电离能和垂直电离能 | 第56-57页 |
4.3.4 绝热亲和能和垂直亲和能 | 第57-58页 |
4.3.5 HOMO-LUMO能隙 | 第58-61页 |
§4.4 总结 | 第61-62页 |
§4.5 RhSi_n~+团簇和RhSi_n~-团簇激发态性质的讨论 | 第62-65页 |
4.5.1 引言 | 第62页 |
4.5.2 计算细节 | 第62页 |
4.5.3 结果与讨论 | 第62-65页 |
参考文献 | 第65-67页 |
第五章结论与展望 | 第67-70页 |
§5.1 结论 | 第67-68页 |
§5.2 展望 | 第68-69页 |
§5.3 后续工作打算 | 第69-70页 |
攻读学位期间发表论文及获奖情况 | 第70-71页 |
致谢 | 第71页 |