| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-25页 |
| ·半导体低维结构的基本原理 | 第8-14页 |
| ·硅基纳米材料的研究进展 | 第14-18页 |
| ·硅基纳米材料的研究展望 | 第18-19页 |
| ·本文的立论依据及内容 | 第19-25页 |
| 第二章 等离子体化学气相沉积方法的特点及样品的表征手段 | 第25-44页 |
| ·等离子体的基本特征 | 第25-28页 |
| ·等离子体化学汽相沉积的工艺设备 | 第28-31页 |
| ·平行圆板形沉积工艺设备 | 第28-30页 |
| ·扩散炉型等离子体化学汽相沉积设备 | 第30-31页 |
| ·样品的分析和表征手段 | 第31-38页 |
| ·X 射线衍射谱(XRD) | 第31-33页 |
| ·透射电镜(TEM) | 第33页 |
| ·傅立叶变换红外光谱(FTIR) | 第33-36页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第36-38页 |
| ·物理性能测试手段 | 第38-44页 |
| ·光致发光光谱(PL) | 第38-41页 |
| ·吸收光谱和激发光谱 | 第41-42页 |
| ·拉曼散射谱(Raman) | 第42-44页 |
| 第三章 包埋硅团簇的氮化硅薄膜的生长 | 第44-60页 |
| ·富硅氮化硅薄膜的制备 | 第44-46页 |
| ·富硅氮化硅薄膜中硅团簇存在的实验验证 | 第46-47页 |
| ·退火温度对富硅氮化硅薄膜的影响 | 第47-51页 |
| ·薄膜的结构特性与退火温度的关系 | 第47-48页 |
| ·薄膜的光致发光特性与退火温度的关系 | 第48-51页 |
| ·氨气和硅烷的气体流量比对富硅氮化硅薄膜的影响 | 第51-55页 |
| ·薄膜的结构特性与气体流量比的关系 | 第51-52页 |
| ·薄膜的光致发光特性与气体流量比的关系 | 第52-55页 |
| ·硅团簇尺寸的计算 | 第55-60页 |
| 第四章 结论 | 第60-61页 |
| 作者简介 | 第61页 |
| 攻读硕士学位期间参与的课题和取得的成果 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 硕士学位论文原创性声明 | 第64页 |