| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 引言 | 第8-10页 |
| 第一章 GaN量子点简介 | 第10-26页 |
| §1.1 GaN材料的生产与发展 | 第10-12页 |
| §1.2 量子点的量子效应 | 第12-15页 |
| ·表面效应 | 第13页 |
| ·量子限域效应 | 第13-14页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第14页 |
| ·量子尺寸效应 | 第14-15页 |
| §1.3 量子点的能态密度和能带理论 | 第15-23页 |
| ·量子点的能态密度 | 第15-18页 |
| ·量子点的能带理论 | 第18-23页 |
| §1.4 半导体量子点的应用 | 第23页 |
| §1.5 量子点中的激子 | 第23-26页 |
| 第二章 理论模型和计算方法 | 第26-43页 |
| §2.1 非线性极化率的计算 | 第26-36页 |
| ·经典理论 | 第26-28页 |
| ·半经典理论(微扰理论) | 第28-30页 |
| ·密度矩阵方法 | 第30-36页 |
| §2.2 In_xGa_(1-x)N／GaN柱型量子点及其薛定谔方程 | 第36-38页 |
| §2.3 一类薛定谔方程的解 | 第38-43页 |
| ·数值求解有效质量薛定谔方程 | 第38-41页 |
| ·艾里函数方法 | 第41-43页 |
| 第三章 计算结果和讨论 | 第43-59页 |
| §3.1 In_xGa_(1-x)／GaN量子点不同方向的三阶非线性极化率 | 第43-47页 |
| §3.2 尺寸分布对量子点三阶非线性极化率的影响 | 第47-51页 |
| §3.3 量子点中激子的研究 | 第51-59页 |
| ·In_xGa_(1-x)N／GaN量子点中激子的束缚能 | 第51-54页 |
| ·In_xGa_(1-x)N／GaN量子点中双激子态下非线性吸收和增益 | 第54-59页 |
| 第四章 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
| 硕士生学习期间发表论文 | 第63页 |
