| 摘 要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·SiC 材料及 SiC MESFET 特性 | 第8-10页 |
| ·半导体器件建模发展及SiC MESFET 国内外动态 | 第10-13页 |
| ·半导体器件建模发展 | 第10-11页 |
| ·SiC MESFET 国内外动态 | 第11-13页 |
| ·本文的主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 SiC MESFET 非线性模型 | 第14-18页 |
| ·SiC MESFET 非线性模型 | 第14-16页 |
| ·半导体器件建模的主要问题 | 第16-18页 |
| 第三章 SiC MESFET 小信号等效电路 | 第18-24页 |
| ·SiC MESFET 小信号寄生参数提取 | 第19-21页 |
| ·SiC MESFET 小信号本征参数提取 | 第21-24页 |
| 第四章 SiC MESFET 大信号模型研究 | 第24-33页 |
| ·电流模型 | 第25-26页 |
| ·漏源电流Ids 模型 | 第25页 |
| ·栅源电流Igs 和栅漏电流Igd 模型 | 第25-26页 |
| ·电容模型 | 第26-27页 |
| ·栅源电容Cgs 和栅漏电容Cgd | 第26-27页 |
| ·漏源电容Cds | 第27页 |
| ·小信号与大信号模型的自洽性考虑 | 第27-28页 |
| ·大信号模型的验证 | 第28-33页 |
| 第五章 SiC MESFET 单片功率放大器设计 | 第33-43页 |
| ·功率放大器设计参数 | 第34-36页 |
| ·匹配网络和组件 | 第36-40页 |
| ·单片电路设计 | 第40-43页 |
| 第六章 结束语 | 第43-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 在校期间取得的成果 | 第49页 |