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GaAs(114)表面电子结构和面心立方金属表面扩散的计算和理论研究

郑重声明第1-3页
中文摘要第3-4页
Abstract第4-5页
目录第5-7页
第一章 引言第7-17页
   ·表面科学研究在材料科学研究中的意义第7-8页
   ·理想表面和表面再构第8-9页
   ·扩散第9-10页
   ·表面扩散在薄膜外延生长中的研究第10-15页
 参考文献第15-17页
第二章 基本理论和研究方法第17-34页
   ·第一性原理计算方法第17-23页
     ·密度泛函理论(DFT)第17-19页
     ·局域密度近似和梯度修正近似第19-20页
     ·赝势方法第20-22页
     ·自洽计算第22页
     ·结构优化第22-23页
   ·分子动力学方法第23-31页
     ·引言第23-25页
     ·基本方程和算法第25-28页
     ·相互作用势函数第28-31页
 参考文献第31-34页
第三章 GaAs(114)表面电子结构的第一性原理计算第34-46页
   ·GaAs高密勒指数表面的研究现状第34-37页
   ·GaAs(114)表面原子几何结构第37页
   ·计算模型与参数第37-39页
   ·计算结果和讨论第39-42页
   ·结论第42-43页
 参考文献第43-46页
第四章 面心立方结构金属在外延生长中表面扩散的分子动力学模拟第46-59页
   ·研究现状第46-48页
   ·计算模拟方法第48-50页
   ·吸附原子在三个低指数表面的扩散第50-52页
   ·吸附原子跨越台阶向(110)面的向上扩散第52-56页
     ·吸附原子从(100)面跨越台阶的向上扩散第52-54页
     ·吸附原子从(111)面跨越台阶的向上扩散第54-56页
   ·结论第56-57页
 参考文献第57-59页
第五章 结论第59-60页
硕士期间发表论文第60-61页
致谢第61页

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