CdSe和HgTe团簇结构与电子性质的理论研究
| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| ·纳米材料及其研究现状 | 第10-13页 |
| ·团簇科学的基本概念 | 第13-15页 |
| ·团簇的基本性质 | 第15-16页 |
| ·团簇理论研究方法发展简介 | 第16-18页 |
| ·半导体团簇的研究现状 | 第18页 |
| ·本文研究的目的和内容 | 第18-20页 |
| 2 常用的第一性原理方法简介 | 第20-28页 |
| ·引言 | 第20-21页 |
| ·Hartree-Fock 近似 | 第21-22页 |
| ·密度泛函理论 | 第22-27页 |
| ·Hobenberg-Kohn 定理 | 第23-24页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第24-25页 |
| ·局域密度近似(LDA) | 第25-26页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 3 (CdSe)n 团簇的结构及性质 | 第28-45页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·理论计算方法及程序流程图 | 第28-30页 |
| ·计算的过程及步骤 | 第30-33页 |
| ·超级元胞的选取及设置 | 第30页 |
| ·截断能量的选取 | 第30页 |
| ·初始结构 | 第30-31页 |
| ·几何优化 | 第31-33页 |
| ·计算结果及分析 | 第33-43页 |
| ·(CdSe)n 团簇的计算结果 | 第33-34页 |
| ·(CdSe)n 团簇n=1 到7 的基态结构 | 第34-36页 |
| ·(CdSe)n 团簇的能态密度 | 第36-40页 |
| ·(CdSe)n 团簇的电子密度 | 第40-42页 |
| ·(CdSe)n 团簇结合能与尺寸的关系 | 第42页 |
| ·(CdSe)n 团簇能隙与尺寸的关系 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 4 (HgTe)n 团簇的结构及性质 | 第45-59页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·计算的结果及分析 | 第45-55页 |
| ·(HgTe)n 团簇的计算结果 | 第45-46页 |
| ·(HgTe)n 团簇n=1 到7 的基态结构 | 第46-48页 |
| ·(HgTe)n 团簇的能态密度 | 第48-52页 |
| ·(HgTe)n 团簇的电子密度 | 第52-53页 |
| ·(HgTe)n 团簇的结合能与尺寸的关系 | 第53-54页 |
| ·(HgTe)n 团簇能隙与尺寸的关系 | 第54-55页 |
| ·两种团簇的结果对比及讨论 | 第55-57页 |
| ·基态几何结构差异比较分析 | 第55-56页 |
| ·结合能与尺寸关系差异比较分析 | 第56-57页 |
| ·能隙与尺寸关系差异比较分析 | 第57页 |
| ·小结 | 第57-59页 |
| 5 结论与展望 | 第59-61页 |
| ·主要结论 | 第59页 |
| ·后续研究工作的展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 附:作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第67-68页 |
| 独创性声明 | 第68页 |
| 学位论文版权使用授权书 | 第68页 |
