当前位置：
首页
--
数理科学和化学
--
物理学
--
半导体物理学
新型高效半导体量子点的制备、光学性质及其光学功能薄膜组装研究
半导体单量子阱中等离激元性质的研究
半导体低维量子系统中的等离子振荡
共轭基团有机分子在单晶硅表面的组装及其光电性质研究
有机半导体中的爱因斯坦关系研究及其应用
四面体中3d~5离子自旋哈密顿参量的理论研究
稀土和几种典型半导体材料的价电子结构和物性
磁场作用下三量子点体系中双电子性质的研究
GaxIn1-xAs/GaAs量子点分子的电子结构和光学性质的研究
非周期半导体多层异质结中自旋极化输运性质的研究
外电场作用下圆盘形量子点中类氢杂质的光学性质的研究
纤锌矿氮化物量子阱中电子迁移率及应变和压力调制
纳米异质结构的光学特性研究及应用
硅油粘滞性对C4F8等离子体处理的硅油表面凝聚行为的影响
Al-Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜制备及性能
Ti掺杂WO3薄膜的制备及气敏性能研究
超薄HfO2栅MOS结构C-V和I-V模拟
各向异性与量子点平衡形态及应变分布研究
碳化硼在金刚石锯片烧结中的应用研究
半导体硅与砷化镓光学性质温度依赖性的第一性原理研究
SnO2纳米纤维的制备及气敏特性研究
CdS/Si-NPA异质结构阵列的光伏特性研究
SiC多型体的第一性原理计算研究
基于Fe3O4半金属性质的第一性原理研究
CdSe/CdS/ZnS核—多壳层量子点与金属氧化物之间电子转移速率的提高研究
利用UHV-STM研究Si（5 5 12）表面上的局域面和铟因素诱导的小琢面
PEG修饰水溶性量子点荧光探针的制备及与多肽相互作用的研究
多孔硅的制备及发光特性的研究
InN量子点应变分析及其特性研究
掺杂锐钛矿相TiO2的第一性原理计算
量子点荧光探针的制备及其在金黄色葡萄球菌检测中的应用
InAs/GaAs量子点半导体光放大器理论研究与量子点制备
对称耦合量子点中类氢杂质态的性质研究
闪锌矿InGaN/GaN低维量子结构中电子和光学性质
氧化锌单晶及激光辐照氧化锌单晶的光谱学研究
ZnO/Si异质结构晶界行为及其载流子输运机制研究
石墨烯量子点量子输运性质的实验研究
自组织量子点与量子环物理性质的理论研究
砷化镓光导开关的物理机理
稀磁半导体中磁光效应的应用研究
ZnO薄膜和异质结构的光电性能研究
InGaN/GaN量子阱光致发光特性的测试与分析
量子点环AB干涉器中电子的自旋极化输运
氢化纳米硅薄膜硅量子点光电流响应调控
Rashba效应影响下量子点中束缚极化子的性质
非磁性半导体多层结构中的自旋极化隧穿研究
有限厚势垒应变GaN/AlxGa1-xN异质结中杂质态及压力效应
Cu掺杂GaN基稀磁半导体的第一性原理研究
Ge3N4的准粒子能带结构计算
Ⅳ族元素氧化物和V掺杂Si-Ge-N中间带隙材料的结构和光学性质理论研究
上一页
[20]
[21]
[22]
[23]
[24]
下一页
