| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·InN材料研究国内外现状 | 第7-10页 |
| ·量子点内应变场分布研究现状 | 第10-11页 |
| ·论文研究的意义及内容 | 第11-14页 |
| 第二章 半导体量子点及有限元理论简介 | 第14-25页 |
| ·半导体量子点的基本特性 | 第14-16页 |
| ·半导体量子点的生长理论 | 第16-19页 |
| ·半导体量子点的检测技术 | 第19-23页 |
| ·有限元理论简介 | 第23-25页 |
| 第三章 不同形状掩埋InN/GaN量子点的应变分布 | 第25-35页 |
| ·量子点的应变场理论 | 第25-26页 |
| ·InN/GaN应变层临界厚度的计算 | 第26-29页 |
| ·有限元几何模型 | 第29-30页 |
| ·量子点应变场的有限元分析 | 第30-33页 |
| ·量子点能量计算 | 第33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 非掩埋和掩埋InN/GaN量子点应变场分布比较 | 第35-38页 |
| ·纵向应变场分布 | 第35-36页 |
| ·横向应变场分布 | 第36页 |
| ·静水应变和双轴应变分布及能量计算 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第五章 InN/GaN量子点的特征检测与分析 | 第38-46页 |
| ·InN/GaN量子点的双晶衍射实验 | 第38-39页 |
| ·InN/GaN量子点的原子力显微镜观测 | 第39-40页 |
| ·InN/GaN量子点的发光特性 | 第40-42页 |
| ·InN/GaN量子点的应变场分布及能量计算 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第六章 总结与展望 | 第46-48页 |
| ·总结 | 第46-47页 |
| ·展望 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第51页 |