| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| ·课题背景及研究的目的 | 第10-12页 |
| ·元素半导体材料简介 | 第10页 |
| ·硅的应用及研究现状 | 第10-11页 |
| ·化合物半导体材料 | 第11-12页 |
| ·半导体的结构与目前对半导体材料发展的要求和面临的主要问题 | 第12-15页 |
| ·半导体的晶体结构资料 | 第12-15页 |
| ·目前对半导体材料发展的要求和面临的主要问题 | 第15页 |
| ·本课题的选题意义和研究的主要内容 | 第15-17页 |
| 第2章 固体与分子经验电子理论 | 第17-26页 |
| ·EET与第一性原理 | 第17-18页 |
| ·量子理论的诞生 | 第17-18页 |
| ·EET与第一性原理的比较 | 第18页 |
| ·EET的主要内容 | 第18-24页 |
| ·原子状态的描述 | 第18-21页 |
| ·杂化 | 第21-22页 |
| ·杂化表的建立和筛选 | 第22-23页 |
| ·键距差方法(BLD) | 第23-24页 |
| ·EET的应用 | 第24-26页 |
| 第3章 单质的价电子结构计算和物性分析 | 第26-35页 |
| ·EET的物性计算的公式 | 第26-29页 |
| ·熔点的计算公式 | 第26-28页 |
| ·结合能的计算公式 | 第28-29页 |
| ·Si、Ge的VES和物性计算及分析 | 第29-30页 |
| ·Si、Ge的杂化双态及杂化表 | 第29页 |
| ·Si、Ge的VES和物性计算 | 第29-30页 |
| ·基于Si、Ge价电子结构的物性分析 | 第30页 |
| ·稀土Gd、Tb的价电子结构和物性分析 | 第30-35页 |
| ·稀土Gd、Tb的杂化双态及杂化表的构建 | 第30-32页 |
| ·稀土Gd、Tb的价电子结构和物性计算 | 第32-33页 |
| ·价电子结构分析Gd、Tb物性相似 | 第33页 |
| ·4f电子对结合能和熔点的影响 | 第33-35页 |
| 第4章 化合物半导体价电子结构计算和物性分析 | 第35-45页 |
| ·CdS的两种价电子结构和物性分析 | 第35-41页 |
| ·Cd和S的杂化双态及杂化表的构建 | 第35-36页 |
| ·CdS的两种价电子结构 | 第36-38页 |
| ·CdS两相结构中的各键能计算结果 | 第38-39页 |
| ·最近邻原子键距的有效性检验 | 第39-40页 |
| ·价电子结构分析结构稳定性 | 第40页 |
| ·价电子结构分析相变 | 第40-41页 |
| ·ZnO的价电子结构计算及物性分析 | 第41-45页 |
| ·ZnO杂化表的建立 | 第41-42页 |
| ·ZnO的价电子结构计算 | 第42-43页 |
| ·EET分析Zn氧化 | 第43页 |
| ·EET分析ZnO的掺杂导电机制 | 第43-45页 |
| 第5章 结论和展望 | 第45-47页 |
| ·结论 | 第45-46页 |
| ·展望 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52页 |