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半导体单量子阱中等离激元性质的研究

致谢第1-6页
中文摘要第6-7页
ABSTRACT第7-10页
1 引言第10-19页
   ·等离激元的概念第11-12页
   ·低维系统中等离激元的特性第12-13页
   ·等离激元的研究意义第13页
   ·等离激元的研究现状第13-15页
   ·本文的研究内容与研究方法第15-19页
     ·研究内容第15页
     ·研究方法第15-19页
2 半导体单量子阱第19-29页
   ·理论模型第19-20页
   ·自洽求解薛定谔方程和泊松方程第20-25页
     ·界面处的极化效应第20-21页
     ·有限差分法求薛定谔方程第21-22页
     ·自洽解法求解系统的薛定谔方程和泊松方程第22-25页
   ·子带结构第25-28页
   ·本章小结第28-29页
3 量子阱的等离激元理论第29-32页
   ·量子阱系统介电函数张量理论的一般表达式第29-30页
   ·单量子阱系统中的单粒子激发第30-31页
     ·子带内的单粒子激发第30-31页
     ·子带间的单粒子激发第31页
   ·本章小结第31-32页
4 二三子带模型等离激元研究第32-50页
   ·单粒子激发第32-34页
   ·二子带模型第34-42页
     ·子带内的集体激发第35-37页
     ·长波长近似下一二能级子带间集体激发第37-39页
     ·长波长近似下的二三能级子带间集体激发第39-41页
     ·二子带模型总结第41-42页
   ·三子带模型第42-48页
     ·三带模型第一公式表示的激发模第43-45页
     ·三带模型第二公式表示的激发模第45-48页
     ·三带模型总结第48页
   ·二三带模型对比第48-49页
   ·本章总结第49-50页
5 结论第50-51页
参考文献第51-53页
作者简历第53-55页
学位论文数据集第55页

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