半导体单量子阱中等离激元性质的研究
致谢 | 第1-6页 |
中文摘要 | 第6-7页 |
ABSTRACT | 第7-10页 |
1 引言 | 第10-19页 |
·等离激元的概念 | 第11-12页 |
·低维系统中等离激元的特性 | 第12-13页 |
·等离激元的研究意义 | 第13页 |
·等离激元的研究现状 | 第13-15页 |
·本文的研究内容与研究方法 | 第15-19页 |
·研究内容 | 第15页 |
·研究方法 | 第15-19页 |
2 半导体单量子阱 | 第19-29页 |
·理论模型 | 第19-20页 |
·自洽求解薛定谔方程和泊松方程 | 第20-25页 |
·界面处的极化效应 | 第20-21页 |
·有限差分法求薛定谔方程 | 第21-22页 |
·自洽解法求解系统的薛定谔方程和泊松方程 | 第22-25页 |
·子带结构 | 第25-28页 |
·本章小结 | 第28-29页 |
3 量子阱的等离激元理论 | 第29-32页 |
·量子阱系统介电函数张量理论的一般表达式 | 第29-30页 |
·单量子阱系统中的单粒子激发 | 第30-31页 |
·子带内的单粒子激发 | 第30-31页 |
·子带间的单粒子激发 | 第31页 |
·本章小结 | 第31-32页 |
4 二三子带模型等离激元研究 | 第32-50页 |
·单粒子激发 | 第32-34页 |
·二子带模型 | 第34-42页 |
·子带内的集体激发 | 第35-37页 |
·长波长近似下一二能级子带间集体激发 | 第37-39页 |
·长波长近似下的二三能级子带间集体激发 | 第39-41页 |
·二子带模型总结 | 第41-42页 |
·三子带模型 | 第42-48页 |
·三带模型第一公式表示的激发模 | 第43-45页 |
·三带模型第二公式表示的激发模 | 第45-48页 |
·三带模型总结 | 第48页 |
·二三带模型对比 | 第48-49页 |
·本章总结 | 第49-50页 |
5 结论 | 第50-51页 |
参考文献 | 第51-53页 |
作者简历 | 第53-55页 |
学位论文数据集 | 第55页 |