| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-21页 |
| ·研究的背景和意义 | 第9-11页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料简介 | 第11-16页 |
| ·材料的的晶体结构 | 第11页 |
| ·量子阱的基本概念 | 第11-13页 |
| ·InGaN/GaN量子阱的简介 | 第13页 |
| ·量子阱的制备方法简介 | 第13-16页 |
| ·光致发光(PL) | 第16-21页 |
| ·背景简介 | 第16-17页 |
| ·PL谱的基本概念 | 第17-18页 |
| ·GaN的光致发光谱 | 第18-21页 |
| 第二章 GaN材料量子阱发光特性的测量 | 第21-35页 |
| ·实验原理及实验要求 | 第21页 |
| ·实验样品 | 第21-23页 |
| ·样品一(C650SP)在室温条件下的变光强PL谱 | 第23-27页 |
| ·样品二(650FS)在室温条件下的变功率PL谱 | 第27-30页 |
| ·两种样品PL谱的比较与分析 | 第30页 |
| ·样品二的低温变功率PL谱 | 第30-32页 |
| ·样品二在变温条件下的PL谱 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 生长温度对单量子阱发光特性的影响 | 第35-43页 |
| ·实验样品 | 第35-36页 |
| ·室温变功率光致发光谱 | 第36-39页 |
| ·InGaN系统相分离现象的研究 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 结论 | 第43-44页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |