| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| ·纤锌矿氮化物高电子迁移率晶体管的研究进展 | 第11-13页 |
| ·纤锌矿氮化物电子迁移率的研究现状和存在的问题 | 第13-18页 |
| ·二维电子气的产生及分布 | 第13-14页 |
| ·光学声子 | 第14-16页 |
| ·电子迁移率 | 第16-18页 |
| ·本文的主要研究内容和意义 | 第18-20页 |
| 第二章 理论模型和计算方法 | 第20-34页 |
| ·电子本征态的自洽求解 | 第20-22页 |
| ·光学声子 | 第22-29页 |
| ·纤锌矿氮化物的体光学声子 | 第22-25页 |
| ·纤锌矿氮化物量子阱的光学声子 | 第25-28页 |
| ·纤锌矿氮化物多界面结构的界面和局域声子模 | 第28-29页 |
| ·光学声子限制的电子迁移率 | 第29-30页 |
| ·应变和压力对体系物理参数的调制 | 第30-34页 |
| 第三章 电子迁移率的尺寸效应 | 第34-39页 |
| ·二维电子气分布的尺寸效应 | 第34-35页 |
| ·电子迁移率的尺寸效应 | 第35-38页 |
| ·无限垒宽情形 | 第35-36页 |
| ·有限垒宽情形 | 第36-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第四章 电子迁移率的流体静压力效应 | 第39-41页 |
| ·流体静压力下AlN/GaN/AlN量子阱中电子的迁移率 | 第39-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 第五章 电子迁移率的三元混晶效应 | 第41-55页 |
| ·含纤锌矿氮化物三元混晶量子阱的光学声子 | 第41-51页 |
| ·InGaN体光学声子及含InGaN量子阱的光学声子 | 第41-46页 |
| ·AlGaN体光学声子及含AlGaN量子阱的光学声子 | 第46-51页 |
| ·含三元混晶纤锌矿氮化物量子阱中的电子迁移率 | 第51-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第六章 电子迁移率的多界面效应 | 第55-71页 |
| ·引入纳米凹槽InN的AlN/GaN/AlN量子阱的光学声子 | 第55-64页 |
| ·引入纳米凹槽InGaN的AlN/GaN/AlN量子阱的光学声子 | 第64-66页 |
| ·引入纳米凹槽InGaN的AlN/GaN/AlN量子阱中电子态 | 第66-67页 |
| ·引入纳米凹槽InGaN的AlN/GaN/AlN量子阱中电子的迁移率 | 第67-70页 |
| ·小结 | 第70-71页 |
| 第七章 全文总结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 攻读博士学位期间发表和完成的论文 | 第83页 |
