| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·半导体材料的研究情况 | 第10-11页 |
| ·低维半导体材料的研究状况 | 第10页 |
| ·量子点的概念 | 第10-11页 |
| ·量子点的研究和应用 | 第11页 |
| ·半导体材料中的量子束缚 | 第11页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ 族半导体材料 | 第11-14页 |
| ·ZnO 材料的性质 | 第11-12页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ 族ZnO 基异质结构的应用 | 第12-13页 |
| ·ZnO 量子点制备方法和生长特点 | 第13页 |
| ·ZnO 量子点的光电性质 | 第13-14页 |
| ·ZnO 基量子点中类氢杂质态的研究现状 | 第14页 |
| ·GaN 基量子点的研究情况 | 第14-18页 |
| ·纤锌矿Ⅲ-Ⅴ 族氮化物材料的研究和应用 | 第14-15页 |
| ·GaN 基量子点中类氢杂质态的研究现状 | 第15-18页 |
| 第二章 Ⅱ-Ⅵ 族和Ⅲ-Ⅴ 族半导体材料的物理性质 | 第18-24页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ 族半导体材料的物理性质 | 第18-21页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ 族半导体材料的晶体结构 | 第18页 |
| ·半导体异质结及其应用 | 第18-20页 |
| ·异质结中的应变和极化 | 第20-21页 |
| ·Ⅲ-V 族半导体材料的性质 | 第21-24页 |
| 第三章 理论计算模型 | 第24-34页 |
| ·纤锌矿结构ZnO/Mg_xZn_(1-x)O 的性质研究 | 第24-30页 |
| ·纤锌矿结构材料中的内建电场 | 第24-25页 |
| ·纤锌矿对称ZnO/MgZnO 应变耦合量子阱中的内建电场 | 第25-27页 |
| ·纤锌矿对称ZnO/MgZnO 应变耦合量子点中的类氢杂质态 | 第27-30页 |
| ·闪锌矿对称InGaN/GaN 多量子点中的类氢杂质态 | 第30-34页 |
| 第四章 耦合多量子点中类氢杂质态的性质 | 第34-50页 |
| ·纤锌矿ZnO/MgZnO 对称耦合量子点中类氢杂质态的研究 | 第34-40页 |
| ·闪锌矿InGaN/GaN 多量子点中类氢施主杂质态的性质 | 第40-50页 |
| 第五章 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
