Cu掺杂GaN基稀磁半导体的第一性原理研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·稀磁半导体简介 | 第12-20页 |
| ·稀磁半导体的概念 | 第12-13页 |
| ·稀磁半导体的性质 | 第13-14页 |
| ·稀磁半导体的研究进展 | 第14-20页 |
| ·GaN基稀磁半导体 | 第20-26页 |
| ·GaN的基本性质 | 第20-22页 |
| ·GaN基稀磁半导体的研究进展 | 第22-26页 |
| ·选题的依据和研究内容 | 第26-27页 |
| 第二章 计算的理论基础 | 第27-36页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·密度泛函理论 | 第27-34页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第28-29页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第29-31页 |
| ·交换关联泛函 | 第31-32页 |
| ·自洽计算 | 第32-34页 |
| ·计算软件介绍 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 Cu掺杂GaN的电子结构和磁性计算 | 第36-47页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·模型和计算方法 | 第37-39页 |
| ·理论模型 | 第37-38页 |
| ·计算方法 | 第38-39页 |
| ·结果与分析 | 第39-46页 |
| ·纯GaN的能带结构和态密度 | 第39-42页 |
| ·Cu掺杂GaN的电子结构和磁性分析 | 第42-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 Cu掺杂GaN的居里温度及其调控方法 | 第47-56页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·模型和计算方法 | 第48-50页 |
| ·理论模型 | 第48-49页 |
| ·计算方法 | 第49-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-55页 |
| ·sp-d交换作用 | 第50-52页 |
| ·Cu-Cu直接交换作用 | 第52-53页 |
| ·居里温度与载流子浓度的关系 | 第53-55页 |
| ·居里温度与掺杂浓度的关系 | 第55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 全文总结 | 第56-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
