| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| ·国内外研究历程 | 第10-12页 |
| ·有机半导体材料的结构、性质 | 第12-16页 |
| ·有机半导体材料的分类 | 第12-13页 |
| ·OLED 结构 | 第13-16页 |
| ·有机半导体的发光机制及原理 | 第16-23页 |
| ·有机半导体的发光机制 | 第16-23页 |
| ·载流子的注入 | 第18-19页 |
| ·载流子的输运 | 第19-22页 |
| ·空穴和电子的复合 | 第22-23页 |
| ·总结 | 第23-24页 |
| 第二章 有机聚合物的载流子传输模型 | 第24-35页 |
| ·有机半导体的无序度 | 第24-25页 |
| ·有机半导体载流子的传输模型 | 第25-28页 |
| ·Miller-Abrahams跳跃模型 | 第25-27页 |
| ·极化子模型 | 第27-28页 |
| ·两种模型间的比较 | 第28页 |
| ·有机半导体载流子迁移率的几种实验测量方法简介 | 第28-35页 |
| ·空间电荷限制电流（SCLC）测量法 | 第29-30页 |
| ·飞行时间（TOF）测量法 | 第30-32页 |
| ·瞬态电致发光（transient EL）法测量迁移率 | 第32-33页 |
| ·场效应晶体管方法（FET）测量迁移率 | 第33-35页 |
| 第三章 有机半导体中的蒙特卡罗方法 | 第35-41页 |
| ·低浓度时的蒙特卡罗方法 | 第35-36页 |
| ·高斯无序模型（GDM） | 第36-38页 |
| ·输运位置相互作用模型（CDM） | 第38-39页 |
| ·陷阱俘获模型 | 第39-41页 |
| 第四章 有机半导体中的爱因斯坦关系 | 第41-50页 |
| ·爱因斯坦关系在不掺杂有机半导体中的研究 | 第41-45页 |
| ·物理掺杂时有机半导体中的爱因斯坦关系 | 第45-47页 |
| ·化学掺杂时有机半导体中的爱因斯坦关系 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第五章 有机半导体中依赖电势的爱因斯坦关系 | 第50-59页 |
| ·有机半导体中有电势时爱因斯坦关系的推导 | 第50-53页 |
| ·空穴传输扩展爱因斯坦关系的研究 | 第50-52页 |
| ·电势存在时空穴传输爱因斯坦关系的推导 | 第52-53页 |
| ·PDGER 在聚合物NRS-PPV 和OC1C10-PPV 中的具体分析计算 | 第53-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第六章 总结 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第67-68页 |