| 目录 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·计算材料科学简介 | 第8-12页 |
| ·课题研究现状 | 第12-14页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 材料性质的理论计算研究方法简介 | 第16-25页 |
| ·密度泛函理论基础 | 第16-22页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第16-18页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第18-19页 |
| ·交换关联势 | 第19-20页 |
| ·基态函数 | 第20页 |
| ·赝势 | 第20-22页 |
| ·材料物理性质的计算 | 第22-25页 |
| ·能带结构 | 第22-23页 |
| ·光学性质 | 第23-25页 |
| 第三章 X_(0.5)Y_(0.5)O_2(X、Y=Si、Ge、Sn)电子结构和光学性质的理论研究 | 第25-34页 |
| ·引言 | 第25-26页 |
| ·计算方法 | 第26页 |
| ·结果与讨论 | 第26-33页 |
| ·结论 | 第33-34页 |
| 第四章 V掺杂的SiGe_2N_4和GeSi_2N_4电子结构和光学性质的理论研究 | 第34-45页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·计算方法 | 第35-36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-44页 |
| ·结论 | 第44-45页 |
| 第五章 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-51页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-55页 |