| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·本课题的研究背景与研究意义 | 第9-10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-14页 |
| ·电子—声子相互作用 | 第11-13页 |
| ·声子—声子相互作用 | 第13-14页 |
| ·本文的研究工作 | 第14-15页 |
| 第2章 基于密度泛函理论的第一性原理计算方法 | 第15-31页 |
| ·第一性原理方法 | 第15-17页 |
| ·密度泛函理论 | 第17-22页 |
| ·局域密度近似 | 第21页 |
| ·平面波基函数 | 第21-22页 |
| ·赝势 | 第22页 |
| ·多体方法：GW近似与BS方程 | 第22-26页 |
| ·GW近似 | 第23-24页 |
| ·BS方程 | 第24-26页 |
| ·密度泛函微扰理论 | 第26-29页 |
| ·线性响应理论 | 第28-29页 |
| ·晶格热膨胀 | 第29页 |
| ·第一性原理计算软件：ABINIT与Quantum ESPRESSO | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 半导体材料光学性质的温度依赖性 | 第31-44页 |
| ·半导体材料电磁响应机制与光学性质 | 第31-35页 |
| ·电子能带理论与紫外—可见光学性质 | 第33-34页 |
| ·晶格动力学与红外光学性质 | 第34-35页 |
| ·电子—声子相互作用 | 第35-40页 |
| ·电子能带结构热修正 | 第36-39页 |
| ·紫外—可见光谱温度依赖性 | 第39-40页 |
| ·声子—声子相互作用 | 第40-43页 |
| ·声子能带结构热修正 | 第40-42页 |
| ·红外光谱温度依赖性 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 温度对硅紫外—可见光谱的影响 | 第44-57页 |
| ·计算模型与方法 | 第44-47页 |
| ·电子能带结构热修正 | 第47-49页 |
| ·温度对紫外—可见光谱的影响 | 第49-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第5章 温度对砷化镓红外光谱的影响 | 第57-69页 |
| ·计算模型与方法 | 第57-58页 |
| ·声子能带结构热修正 | 第58-60页 |
| ·温度对红外光谱的影响 | 第60-64页 |
| ·温度对红外辐射特性的影响 | 第64-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第76-80页 |
| 致谢 | 第80页 |