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InAs/GaAs量子点半导体光放大器理论研究与量子点制备

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
1 绪论第9-18页
   ·量子点简介第9-10页
   ·量子点半导体光放大器的发展概况第10-13页
   ·量子点SOA的制作方法及主要特点第13-17页
   ·本论文的篇章结构第17-18页
2 量子点基本理论研究第18-38页
   ·量子点能带计算第18-27页
   ·量子点中的声子散射第27-32页
   ·量子点中的俄歇散射第32-36页
   ·本章小结第36-38页
3 双电极量子点SOA研究第38-54页
   ·半导体光电器件中的多电极结构第38-39页
   ·双电极量子点SOA理论模型第39-46页
   ·双电极量子点SOA的增益和相位特性第46-53页
   ·本章小结第53-54页
4 基于量子点SOA电路模型的仿真第54-70页
   ·半导体光电器件的电路模型第54页
   ·量子点SOA的电路模型第54-61页
   ·量子点SOA电路模型的应用第61-69页
   ·本章小结第69-70页
5 InAs/GaAs量子点的自组织生长第70-87页
   ·量子点MOCVD外延生长第70-73页
   ·InAs/GaAs量子点形貌研究第73-78页
   ·含有InGaAs应力减少层的InAs量子点的发光特性第78-86页
   ·本章小结第86-87页
6 全文总结第87-89页
致谢第89-90页
参考文献第90-101页
附录1 攻读硕士学位期间发表的论文目录第101-103页
附录2 量子点及量子点SOA理论计算参数表第103-104页

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