| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| ·ZnO材料概述和晶体结构 | 第9-12页 |
| ·ZnO制备 | 第12-15页 |
| ·ZnO薄膜制备 | 第12-13页 |
| ·ZnO体单晶制备 | 第13-15页 |
| ·ZnO研究热点 | 第15-20页 |
| ·ZnO薄膜p型掺杂 | 第16-17页 |
| ·ZnO材料的能带工程 | 第17-20页 |
| ·论文主要研究内容和结构 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章 ZnO光致发光 | 第23-34页 |
| ·光致发光谱的测量仪器介绍 | 第23-24页 |
| ·ZnO光致发光谱带边峰 | 第24-29页 |
| ·自由激子和束缚激子 | 第24-26页 |
| ·施主束缚激子的双电子伴线 | 第26-28页 |
| ·施主受主对 | 第28-29页 |
| ·声子峰 | 第29页 |
| ·带间发光峰特征和解释模型 | 第29-32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 第三章 ZnO薄膜的N原位掺杂 | 第34-47页 |
| ·N掺杂ZnO薄膜的制备 | 第34页 |
| ·退火温度对N掺杂ZnO薄膜的性能影响 | 第34-40页 |
| ·样品表面形貌和结构分析 | 第34-35页 |
| ·样品的拉曼光谱分析 | 第35-38页 |
| ·样品的光致发光谱分析 | 第38-40页 |
| ·高温退火后薄膜低温光致发光研究 | 第40-44页 |
| ·近带边发光峰分析 | 第40-41页 |
| ·带内发光峰分析 | 第41-43页 |
| ·近带边和带内发光机制的内在联系 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第四章 ZnMgO合金的生长 | 第47-58页 |
| ·ZnMgO薄膜的生长参数 | 第47-48页 |
| ·ZnMgO薄膜的性能分析 | 第48-52页 |
| ·XRD分析 | 第48-49页 |
| ·AFM图分析 | 第49-51页 |
| ·PL谱分析 | 第51-52页 |
| ·Hall测量结果分析 | 第52页 |
| ·立方相退火研究 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第五章 ZnMgO/ZnO异质结和二维电子气研究 | 第58-71页 |
| ·ZnMgO/ZnO异质结中二维电子气形成机制及研究状况 | 第58-60页 |
| ·ZnMgO/ZnO中二维电子气研究 | 第60-67页 |
| ·ZnMgO/ZnO异质结生长 | 第61页 |
| ·薄垒层ZnMgO/ZnO中二维电子气 | 第61-64页 |
| ·厚垒层ZnMgO/ZnO中二维电子气 | 第64-66页 |
| ·二维电子气能带图 | 第66-67页 |
| ·ZnO单晶衬底研究 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 论文发表情况 | 第73-74页 |